Om defekter i SiC-krystaller - Mikrorør

SiC-substrat kan ha mikroskopiske defekter, slik som Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) og andre. Disse defektene er forårsaket av avvik i arrangementet av atomer på atomnivå. SiC-krystaller kan også ha makroskopiske dislokasjoner, som Si- eller C-inneslutninger, mikrorør, sekskantede hulrom, polymorfer, etc. Disse dislokasjonene er vanligvis store i størrelse.

Et av hovedproblemene ved produksjon av SiC-enheter er tredimensjonale mikrostrukturer kjent som "micropipe" eller "pinholes", som typisk er henholdsvis 30-40um og 0,1-5um store. Disse mikrorørene har en tetthet på 10-10³/cm² og kan trenge inn i det epitaksiale laget, noe som resulterer i defekter som dreper utstyret. De er først og fremst forårsaket av gruppering av spiro-dislokasjoner og anses som den primære hindringen i utviklingen av SiC-enheter.

Microtubule defects on the substrate are the source of other defects formed in the epitaxial layer during the growth process, such as voids, inclusions of various polymorphs, twins, etc. Therefore, the most important thing to do during the growth process of the substrate material for high-voltage and high-power SiC devices is to reduce the formation of microtubule defects in bulk SiC crystals and to prevent them from entering the epitaxial layer.

Mikrorøret kan sees på som små groper, og ved å optimalisere forholdene i prosessen kan vi "fylle ut gropene" for å redusere tettheten til mikropipen. Flere studier i litteraturen og eksperimentelle data har vist at fordampningsepitaksi, CVD-vekst og væskefase-epitaksi kan fylle ut mikrorøret og redusere dannelsen av mikrorør og dislokasjoner.

Semicorex bruker MOCVD-teknikken for å lage SiC-belegg som effektivt reduserer mikrorørstettheten, noe som resulterer i produkter av topp kvalitet. Hvis du har spørsmål eller trenger ytterligere detaljer, ikke nøl med å ta kontakt med oss.

Kontakt telefonnummer +86-13567891907

E-post: sales@semicorex.com