Hva er SiC-epitaksi?

Silisiumkarbid (SiC) epitaksi er en nøkkelteknologi innen halvledere, spesielt for utvikling av elektroniske enheter med høy effekt. SiC er en sammensatt halvleder med et bredt båndgap, noe som gjør den ideell for applikasjoner som krever drift med høy temperatur og høy spenning.

SiC-epitaksi er en prosess for å dyrke et tynt lag med krystallinsk materiale på et substrat, typisk silisium, ved bruk av kjemisk dampavsetning (CVD) eller molekylærstråleepitaksi (MBE). Det epitaksiale laget har samme krystallstruktur og orientering som underlaget, noe som gjør det mulig å danne et grensesnitt av høy kvalitet mellom de to materialene.

SiC-epitaksi har blitt mye brukt i utviklingen av kraftelektronikk, inkludert kraftenheter som dioder, transistorer og tyristorer. Disse enhetene brukes i et bredt spekter av bruksområder, for eksempel elektriske kjøretøy, fornybare energisystemer og strømforsyninger.

De siste årene har det vært en økende interesse for utviklingen av SiC-epitaksi for fremstilling av høyeffektsenheter for applikasjoner som elektriske kjøretøy og fornybare energisystemer. Etterspørselen etter disse enhetene forventes å vokse raskt i de kommende årene, drevet av behovet for mer effektive og bærekraftige energisystemer.

Som svar på denne etterspørselen, investerer forskere og selskaper i utviklingen av SiC-epitaksiteknologi, med fokus på å forbedre kvaliteten og redusere kostnadene ved prosessen. For eksempel utvikler noen selskaper SiC-epitaksi på større underlag for å redusere kostnadene per wafer, mens andre utforsker nye teknikker for å redusere tettheten av defekter.

SiC-epitaksi brukes også i utviklingen av avanserte sensorer for en rekke bruksområder, inkludert gassføling, temperaturføling og trykkføling. SiC har unike egenskaper som gjør den ideell for disse bruksområdene, som høytemperaturstabilitet og motstand mot tøffe miljøer.