Infineon avduker verdens første 300 mm Power GaN Wafer

Nylig kunngjorde Infineon Technologies den vellykkede utviklingen av verdens første 300 mm kraft Gallium Nitride (GaN) wafer-teknologi. Dette gjør dem til det første selskapet som mestrer denne banebrytende teknologien og oppnår masseproduksjon innenfor eksisterende storskala, høykapasitets produksjonsmiljøer. Denne innovasjonen markerer et betydelig fremskritt i det GaN-baserte krafthalvledermarkedet.

Hvordan er 300 mm-teknologien sammenlignet med 200 mm-teknologien?

Sammenlignet med 200 mm-teknologi tillater bruk av 300 mm wafere produksjon av 2,3 ganger flere GaN-brikker per wafer, noe som øker produksjonseffektiviteten og produksjonen betydelig. Dette gjennombruddet konsoliderer ikke bare Infineons lederskap innen kraftsystemer, men akselererer også den raske utviklingen av GaN-teknologi.

Hva sa Infineons administrerende direktør om denne prestasjonen?

Infineon Technologies administrerende direktør Jochen Hanebeck uttalte: "Denne bemerkelsesverdige prestasjonen demonstrerer vår robuste styrke innen innovasjon og er et bevis på den nådeløse innsatsen til vårt globale team. Vi er overbevist om at dette teknologiske gjennombruddet vil omforme industrinormer og frigjøre det fulle potensialet til GaN-teknologi. Nesten et år etter oppkjøpet av GaN Systems viser vi igjen vår vilje til å lede i det raskt voksende GaN-markedet. Som ledende innen kraftsystemer har Infineon fått et konkurransefortrinn innen tre nøkkelmaterialer: silisium, silisiumkarbid og GaN.»

Infineon-sjef Jochen Hanebeck har en av verdens første 300 mm GaN Power-wafere produsert i et eksisterende og skalerbart produksjonsmiljø med høyt volum

Hvorfor er 300 mm GaN-teknologien fordelaktig?

En betydelig fordel med 300 mm GaN-teknologien er at den kan produseres ved bruk av eksisterende 300 mm silisiumproduksjonsutstyr, ettersom GaN og silisium deler likheter i produksjonsprosesser. Denne funksjonen lar Infineon sømløst integrere GaN-teknologi i sine nåværende produksjonssystemer, og dermed akselerere teknologiens adopsjon og anvendelse.

Hvor har Infineon produsert 300 mm GaN wafere med suksess?

For tiden har Infineon med suksess produsert 300 mm GaN wafere på de eksisterende 300 mm silisiumproduksjonslinjene ved kraftverket i Villach, Østerrike. Ved å bygge på det etablerte grunnlaget for 200 mm GaN-teknologi og 300 mm silisiumproduksjon, har selskapet utvidet sine teknologiske og produksjonsevner ytterligere.

Hva betyr dette gjennombruddet for fremtiden?

Dette gjennombruddet fremhever ikke bare Infineons styrker innen innovasjon og storskala produksjonsevner, men legger også et solid grunnlag for fremtidig utvikling av krafthalvlederindustrien. Ettersom GaN-teknologien fortsetter å utvikle seg, vil Infineon fortsette å drive markedsvekst, og ytterligere styrke sin lederposisjon i den globale halvlederindustrien.**