Silisiumkarbid waferbåt

I halvlederproduksjon innebærer oksidasjon å plassere waferen i et høytemperaturmiljø der oksygen strømmer over waferoverflaten for å danne et oksidlag. Dette beskytter waferen mot kjemiske urenheter, forhindrer lekkasjestrøm i å komme inn i kretsene, forhindrer diffusjon under ioneimplantasjon og forhindrer waferglidning under etsing, og danner en beskyttende film på waferoverflaten. Utstyret som brukes i dette trinnet er en oksidasjonsovn. Hovedkomponentene i reaksjonskammeret inkluderer en waferbåt, base, ovnsrør, indre ovnsrør og varmeisolasjonsplater. På grunn av den høye driftstemperaturen er ytelseskravene til komponentene i reaksjonskammeret også høye.

Deoblatbåtbrukes som bærer for wafertransport og prosessering. Den skal ha fordeler som høy integrasjon, høy pålitelighet, antistatiske egenskaper, høy temperaturbestandighet, slitestyrke, motstand mot deformasjon, god stabilitet og lang levetid. Siden wafer-oksidasjonstemperaturen er omtrent mellom 800 ℃ og 1300 ℃, og kravene til innholdet av metalliske urenheter i miljøet er ekstremt strenge, må nøkkelkomponenter som wafer-båten ikke bare ha utmerkede termiske, mekaniske og kjemiske egenskaper, men også ha ekstremt lavt metallisk urenhetsinnhold. Basert på substratet kan de deles inn i kvarts-wafer-båter, silisiumkarbid-keramiske wafer-båter osv. Men med fremgangen av prosessnoder under 7nm og utvidelsen av høytemperatur-prosessvinduer, blir tradisjonelle kvartsbåter gradvis utilstrekkelige når det gjelder termisk stabilitet, partikkelkontroll og levetid. Silisiumkarbidbåter (SiC) erstatter gradvis tradisjonelle kvartsløsninger.

1. Halvlederproduksjon

I høytemperaturprosesser for brikkeproduksjon, som oksidasjon, diffusjon, kjemisk dampavsetning (CVD) og ioneimplantasjon, brukes SiC-båter til å støtte silisiumskiver, som sikrer at skivene forblir flate ved høye temperaturer og forhindrer gitterfeiljustering eller deformasjon forårsaket av termisk stress, og garanterer dermed chippresisjon.

2. Fotovoltaisk industri

Silisiumkarbidkeramikk har utmerket mekanisk styrke, termisk stabilitet, høytemperaturmotstand, oksidasjonsmotstand, termisk sjokkbestandighet og kjemisk korrosjonsbestandighet, og er mye brukt i populære felt som metallurgi, maskineri, ny energi og byggematerialkjemikalier. Ytelsen er også tilstrekkelig for termiske prosesser i fotovoltaisk produksjon, som diffusjon, LPCVD (lavtrykkskjemisk dampavsetning) og PECVD (plasmakjemisk dampavsetning) for TOPcon-celler. Sammenlignet med tradisjonelle kvartsmaterialer gir silisiumkarbidkeramiske materialer som brukes til å lage båtstøtter, småbåter og rørformede produkter høyere styrke, bedre termisk stabilitet og ingen deformasjon under høye temperaturer. Levetiden deres er også mer enn fem ganger så lang som kvarts, noe som reduserer driftskostnader og energitap betydelig på grunn av driftsstans. Dette gir en klar kostnadsfordel, og råvarene er allment tilgjengelige.

3. Tredje generasjons halvlederindustri

I metall-organisk kjemisk dampavsetning (MOCVD) reaksjonskamre brukes silisiumkarbidbåter til å støtte safirsubstrater, motstå korrosive gassmiljøer som ammoniakk (NH3), støtte den epitaksiale veksten av tredjegenerasjons halvledermaterialer som galliumluminitrid (GaN), og forbedre ytelsen til LED-brikker og forbedre ytelsen til LED-chips. I silisiumkarbid enkrystallvekst fungerer silisiumkarbidbåter som frøkrystallbærere i silisiumkarbid enkrystallvekstovner, som tåler det høytemperaturkorrosive miljøet til smeltet silisium, og gir stabil støtte for veksten av silisiumkarbidenkelkrystaller, og fremmer fremstillingen av silisiumkarbid av høy kvalitet.

Semicorex leverer SiC-keramikk av høy kvalitetoblatbåter. Produktene våre er konstruert for å levere overlegen termisk stabilitet, forlenget levetid og eksepsjonell prosesskonsistens. For tilpassede løsninger eller ytterligere teknisk informasjon, ta gjerne kontakt med vårt ingeniørteam.

Telefon: +86-13567891907

E-post: sales@semicorex.com