Nylig kunngjorde Infineon Technologies den vellykkede utviklingen av verdens første 300 mm kraft Gallium Nitride (GaN) wafer-teknologi.
De tre primære metodene som brukes i monokrystallinsk silisiumproduksjon er Czochralski (CZ) metoden, Kyropoulos metoden og Float Zone (FZ) metoden.
Oksidasjonsprosesser spiller en kritisk rolle for å forhindre slike problemer ved å lage et beskyttende lag på waferen, kjent som oksidlaget, som fungerer som en barriere mellom ulike kjemikalier.
Silisiumnitrid (Si3N4) er et nøkkelmateriale i utviklingen av avansert strukturell keramikk med høy temperatur.
Etseprosess: Silisium vs. Silisiumkarbid
I halvlederproduksjon er presisjonen og stabiliteten til etseprosessen avgjørende. En kritisk faktor for å oppnå høykvalitetsetsing er å sikre at wafere ligger perfekt flatt på brettet under prosessen.