CVD SiC Focus Ring

Advanced Chemical Vapor Deposition (CVD) prosess

CVD-prosessen som brukes i produksjonen av CVD SiC Focus Ring involverer presis avsetning av SiC i spesifikke former, etterfulgt av streng mekanisk prosessering. Denne metoden sikrer at materialets resistivitetsparametere er konsistente, takket være et fast materialforhold bestemt etter omfattende eksperimentering. Resultatet er en fokusring med uovertruffen renhet og enhetlighet.

Overlegen plasmamotstand

En av de mest overbevisende egenskapene til CVD SiC Focus Ring er dens eksepsjonelle motstand mot plasma. Gitt at fokusringer er direkte eksponert for plasma i vakuumreaksjonskammeret, er behovet for et materiale som er i stand til å tåle slike tøffe forhold avgjørende. SiC, med et renhetsnivå på 99,9995 %, deler ikke bare silisiums elektriske ledningsevne, men tilbyr også overlegen motstand mot ionisk etsing, noe som gjør det til et ideelt valg for plasmaetsingsutstyr.

Høy tetthet og redusert etsevolum

Sammenlignet med silisium (Si) fokusringer, har CVD SiC Focus Ring en høyere tetthet, noe som reduserer etsevolumet betydelig. Denne egenskapen er avgjørende for å forlenge levetiden til fokusringen og opprettholde integriteten til halvlederproduksjonsprosessen. Det reduserte etsevolumet betyr færre avbrudd og lavere vedlikeholdskostnader, noe som til slutt forbedrer produksjonseffektiviteten.

Bredt båndgap og utmerket isolasjon

Det brede båndgapet til SiC gir utmerkede isolasjonsegenskaper, som er avgjørende for å forhindre at uønskede elektriske strømmer forstyrrer etseprosessen. Denne egenskapen sikrer at fokusringen opprettholder ytelsen over lengre perioder, selv under de mest utfordrende forhold.

Termisk ledningsevne og motstand mot termisk sjokk

CVD SiC Focus Rings viser høy varmeledningsevne og lav ekspansjonskoeffisient, noe som gjør dem svært motstandsdyktige mot termisk sjokk. Disse egenskapene er spesielt fordelaktige i applikasjoner som involverer hurtig termisk prosessering (RTP), hvor fokusringen må tåle intense varmepulser etterfulgt av rask avkjøling. Evnen til CVD SiC Focus Ring til å forbli stabil under slike forhold gjør den uunnværlig i moderne halvlederproduksjon.

Mekanisk styrke og holdbarhet

Den høye elastisiteten og hardheten til CVD SiC Focus Ring gir utmerket motstand mot mekanisk støt, slitasje og korrosjon. Disse egenskapene sikrer at fokusringen tåler de strenge kravene til halvlederproduksjon, og opprettholder dens strukturelle integritet og ytelse over tid.

Applikasjoner på tvers av ulike bransjer

1. Semiconductor Manufacturing

I riket av halvlederproduksjon er CVD SiC Focus Ring en essensiell komponent i plasmaetseutstyr, spesielt de som bruker kapasitive koblede plasma (CCP) systemer. Den høye plasmaenergien som kreves i disse systemene gjør CVD SiC Focus Rings plasmamotstand og holdbarhet uvurderlig. I tillegg gjør dens utmerkede termiske egenskaper den godt egnet for RTP-applikasjoner, der raske oppvarmings- og kjølesykluser er vanlige.

2. LED Wafer Carriers

CVD SiC Focus Ring er også svært effektiv i produksjonen av LED wafer-bærere. Materialets termiske stabilitet og motstand mot kjemisk korrosjon sikrer at fokusringen tåler de tøffe forholdene under LED-produksjon. Denne påliteligheten betyr høyere utbytte og LED-wafere av bedre kvalitet.

3. Sputtering Targets

I sputterapplikasjoner gjør CVD SiC Focus Rings høye hardhet og motstand mot slitasje den til et ideelt valg for sputtering av mål. Fokusringens evne til å opprettholde sin strukturelle integritet under høyenergipåvirkning sikrer konsistent og pålitelig sputterytelse, noe som er avgjørende ved produksjon av tynne filmer og belegg.