Horisontal SiC Wafer-båt

Et kjennetegn ved Semicorex Horizontal SiC Wafer Boat er dens omhyggelig utformede slissede arkitekturen, spesielt skreddersydd for å holde wafere sikkert på plass gjennom ulike høytemperaturprosesser. Denne nøyaktige wafer-begrensningen tjener flere kritiske funksjoner:

Eliminering av wafer-bevegelse:Ved å forhindre uønsket glidning eller forskyvning sikrer Horisontal SiC Wafer Boat konsistent eksponering for prosessgasser og temperaturprofiler, og bidrar til svært jevn waferbehandling og minimerer risikoen for defekter.

Forbedret prosessenhet:Konsistent waferposisjonering oversetter direkte til overlegen ensartethet i kritiske parametere som lagtykkelse, dopingkonsentrasjoner og overflatemorfologi. Denne presisjonen er spesielt viktig i applikasjoner som kjemisk dampavsetning (CVD) og diffusjon, der selv små variasjoner kan påvirke enhetens ytelse betydelig.

Redusert waferskade:Det sikre grepet til Horisontal SiC Wafer Boat minimerer potensialet for wafer-chips, brekkasje eller riper under håndtering og transport, noe som er avgjørende for å opprettholde høye utbytter og redusere produksjonskostnadene.

Utover deres presisjonsdesign tilbyr Horizontal SiC Wafer Boat en overbevisende kombinasjon av materialegenskaper som gjør den ideell for halvleder- og fotovoltaisk produksjon:

Ekstrem temperaturmotstand: Den horisontale SiC Wafer-båten viser eksepsjonell høytemperaturstyrke og stabilitet, slik at den tåler de ekstreme termiske forholdene som oppstår under prosesser som krystallvekst, gløding og hurtig termisk prosessering (RTP) uten deformasjon eller degradering.

Ultra-høy renhet for forurensningskontroll:Bruken av høyrent SiC sikrer minimal avgassing eller partikkelgenerering, og sikrer integriteten til sensitive waferoverflater og forhindrer forurensning som kan kompromittere enhetens ytelse.

Eksepsjonell kjemisk stabilitet:Den iboende tregheten til SiC gjør den horisontale SiC Wafer-båten svært motstandsdyktig mot angrep fra korrosive gasser og kjemikalier som vanligvis brukes i halvleder- og fotovoltaisk produksjon. Denne robuste kjemiske stabiliteten sikrer lang levetid og minimerer risikoen for krysskontaminering mellom prosesskjøringer.

Allsidigheten og ytelsesfordelene til Horizontal SiC Wafer Boat har ført til dens utbredte bruk i en rekke kritiske halvleder- og fotovoltaiske produksjonsprosesser:

Epitaksial vekst:Nøyaktig waferposisjonering og temperaturensartethet er avgjørende for å oppnå epitaksiale lag av høy kvalitet i avanserte halvlederenheter, noe som gjør Horizontal SiC Wafer Boat til et viktig verktøy for denne prosessen.

Diffusjon og ionimplantasjon:Nøyaktig dopingkontroll er avgjørende for å definere de elektriske egenskapene til halvlederenheter. Den horisontale SiC Wafer Boat sikrer presis waferposisjonering under disse prosessene, noe som fører til forbedret enhetlighet og enhetsytelse.

Solcelleproduksjon:Høytemperaturegenskapene og den kjemiske motstanden til Horizontal SiC Wafer Boat gjør den ideell for behandling av silisiumskiver brukt i solcelleceller, noe som bidrar til økt effektivitet og lang levetid for solenergisystemer.