ICP silisiumkarbonbelagt grafitt

Semicorex sin ICP Silicon Carbon Coated Graphite er det ideelle valget for krevende waferhåndtering og tynnfilmavsetningsprosesser. Produktet vårt har overlegen varme- og korrosjonsmotstand, jevn termisk jevnhet og optimale laminære gassstrømningsmønstre.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

Waferbærere som brukes i epitaksial vekstbehandling må tåle høye temperaturer og hard kjemisk rengjøring. Semicorex ICP silisiumkarbonbelagt grafittsusceptorer er konstruert spesielt for disse krevende epitaksiutstyrsapplikasjonene. Produktet vårt er konstruert for å tåle høye temperaturer og tøff kjemisk rengjøring, noe som sikrer lang levetid og optimale resultater.
Vår ICP Silicon Carbon Coated Graphite er designet for å oppnå det beste laminære gassstrømningsmønsteret, og sikrer jevn termisk profil. Dette bidrar til å forhindre forurensning eller diffusjon av urenheter, og sikrer epitaksial vekst av høy kvalitet på waferbrikken.
Kontakt oss i dag for å lære mer om vår ICP Silicon Carbon Coated Graphite.

Parametre for ICP silisiumkarbonbelagt grafitt

Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg
SiC-CVD-egenskaper
Krystallstruktur	FCC β-fase
Tetthet	g/cm³	3.21
Hardhet	Vickers hardhet	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kjemisk renhet	%	99.99995
Varmekapasitet	J kg-1 K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøy, 1300 ℃)	430
Termisk ekspansjon (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300