Iboende silisium

Iboende silisiumrefererer til rent silisium som er fri for urenheter. Det brukes først og fremst til å produsere isolerende lag eller spesifikke funksjonelle lag i elektroniske enheter på grunn av dens gode konduktivitet og stabilitet. Ved romtemperatur har iboende silisium høy resistivitet, men ved forhøyede temperaturer, høye urenhetskonsentrasjoner, eller i nærvær av lys, oppfører det seg som en halvleder. Denne oppførselen er resultatet av generering av ledende elektroner og hull.

Intrinsic silisium er et grunnleggende materiale som er mye brukt i integrerte kretsløp, solceller, lysdioder og andre applikasjoner. Den ytre elektroniske strukturen er lik den for forskjellige elementer, noe som gjør den kjemisk reaktiv under dopingprosessen, noe som fører til dannelse av legeringer eller urenhetsenerginivå. Denne reaktiviteten gir mulighet for å lage materialer som ikke utfører strøm ved å tilsette forskjellige elementer til iboende silisium og lette kjemiske reaksjoner.

I brikkeproduksjon brukes doping for å endre de ledende egenskapene til iboende silisium for å oppfylle spesifikke enhetsfunksjoner. Gjennom doping kan iboende silisium transformeres til enten n-type eller p-type halvledere. Halvtypes halvledere er preget av å ha elektroner som majoritetsbærere, mens halvledere av p-type har hull som majoritetsbærere. Forskjellen i konduktivitet mellom disse to typer halvledere oppstår fra de varierende konsentrasjonene av elektroner og hull, som bestemmes av de dopede materialene.

Når p-type og n-type halvledere er tilkoblet, dannes et PN-veikryss, noe som muliggjør separasjon og bevegelse av elektroner og hull. Denne interaksjonen er grunnleggende for å bytte og forsterke funksjoner i elektroniske enheter. Når en halvleder av N-type kommer i kontakt med en halvleder av P-type, diffunderer frie elektroner fra N-regionen inn i P-regionen, fyller hullene og lager et innebygd elektrisk felt som strekker seg fra P til N. Dette elektriske feltet hemmer ytterligere elektrondiffusjon.

Når en fremover skjev spenning påføres, strømmer strømmen fra P-siden til N-siden; Motsatt, når du er omvendt partisk, er strømmen av strømmen nesten helt blokkert. Dette prinsippet ligger til grunn for funksjonen til dioder.

Semicorex tilbyr høy kvalitetSilisiummaterialer.Hvis du har noen henvendelser eller trenger ytterligere detaljer, ikke nøl med å komme i kontakt med oss.

Kontakt telefon # +86-13567891907

E -post: sales@semicorex.com