GaN industriapplikasjoner

Bruksområdene for SiC-basert og Si-basert GaN er ikke strengt adskilt.In GaN-On-SiC-enheter er kostnadene for SiC-substrat relativt høye, og med den økende modenheten til SiC-langkrystallteknologi forventes kostnadene for enheten å falle ytterligere, og den brukes i kraftenheter innen kraftelektronikk.

GaN i RF-markedet

For tiden er det tre hovedprosesser i RF-markedet: GaAs-prosessen, den Si-baserte LDMOS-prosessen (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) og GaN-prosessen. Ulempene med GaAs-enheter og LDMOS-enheter er Det er en grense for driftsfrekvensen, med maksimal effektiv frekvens under 3 GHz.

GaN bygger bro mellom GaAs og Si-baserte LDMOS-teknologier, og kombinerer kraftprosesseringsevnen til Si-baserte LDMOS med høyfrekvente ytelsen til GaAs. GaAs brukes hovedsakelig i små basestasjoner, og med reduksjonen av GaN-kostnadene forventes GaN å okkupere en del av PA-markedet for små basestasjoner i kraft av sine høyeffekts-, høyfrekvente- og høyeffektive egenskaper, og danner et mønster som i fellesskap domineres av GaAs PA og GaN.

GaN i kraftenhetsapplikasjoner

Due til strukturen inneholder kan realisere høyhastighets ytelsen til heterojunction todimensjonal elektrongass, GaN-enheter sammenlignet med SiC-enheter har en høyere driftsfrekvens, kombinert med tåler spenningen er lavere enn SiC-enheten, så GaN kraftelektroniske enheter er mer egnet for høyfrekvente, lite volum, kostnadssensitive, lavt strømbehov for strømforsyningen til forbrukerstrømforsyningen, for eksempel strømforsyningsnettet, droner, trådløse strømforsyningsadaptere, forbrukere ladeenheter osv.

For øyeblikket er hurtiglading hovedslagmarken til GaN. Bilfeltet er et av nøkkelapplikasjonsscenarioene for GaN-strømenheter, som kan brukes i DC/DC-omformere for biler, DC/AC-omformere, AC/DC-likerettere og OBC-er (on-board-ladere). Dette reduserer ikke bare strømtap og sparer energi, men miniatyriserer og letter også systemet, noe som effektivt reduserer størrelsen og vekten på kraftelektroniske enheter.