Det første 6-tommers Gallium Oxide-substratindustrialiseringsselskapet

Nylig kunngjorde selskapet vårt at selskapet med suksess har utviklet en 6-tommersGalliumoksid (Ga2O3)enkeltkrystall ved bruk av støpemetoden, og ble det første innenlandske industrialiserte selskapet som mestret 6-tommers Gallium Oxide enkrystall-substratprepareringsteknologi.

Selskapet brukte en selvinnovert støpemetode for å lykkes med å forberede en høykvalitets 6-tommers utilsiktet dopet og ledende Gallium Oxide enkeltkrystall, og behandlet en6-tommers galliumoksidsubstrat.

Sammenlignet med tradisjonelle silisiumkarbid-halvledermaterialer, fjerde generasjons halvledermaterialeGalliumoksidhar en høyere motstandsspenning, lavere kostnad og høyere energibesparende effektivitet. Med sin utmerkede ytelse og rimelige produksjon,Galliumoksidbrukes hovedsakelig til å klargjøre strømenheter, radiofrekvensenheter og deteksjonsenheter. Det er mye brukt i jernbanetransport, smarte nett, nye energikjøretøyer, fotovoltaisk kraftproduksjon, 5G mobilkommunikasjon, nasjonalt forsvar og militærindustri, etc..

I løpet av de neste 10 årene eller så,Galliumoksidenheter vil sannsynligvis bli konkurrerende kraftelektroniske enheter og vil direkte konkurrere med silisiumkarbidenheter. I tillegg tror bransjen generelt at i fremtiden,Galliumoksidforventes å erstatteSilisiumkarbidog Gallium Nitride for å bli representanten for en ny generasjon halvledermaterialer.