> Nyheter

Nyheter

Hvordan klassifisere halvledere

Det er seks klassifikasjoner for halvledere, som er klassifisert etter produktstandard, prosesseringssignaltype, produksjonsprosess, bruksfunksjon, applikasjonsfelt og designmetode.

Les mer

Endelig polering av silisiumwaferoverflaten

For å oppnå høykvalitetskravene til IC-brikkekretsprosesser med linjebredder mindre enn 0,13μm til 28nm for 300 mm diameter silisiumpoleringsskiver, er det viktig å minimere forurensning fra urenheter, som metallioner, på waferens overflate.

Les mer

Den fatale feilen til GaN

Ettersom verden leter etter nye muligheter innen halvlederfeltet, fortsetter Gallium Nitride (GaN) å skille seg ut som en potensiell kandidat for fremtidige kraft- og RF-applikasjoner. Til tross for de mange fordelene, står GaN overfor en betydelig utfordring: fraværet av P-type produkter. Hvorfor e......

Les mer

Overflatepolering av silisiumskiver

Silisiumwaferoverflatepolering er en avgjørende prosess i halvlederproduksjon. Dens primære mål er å oppnå ekstremt høye standarder for overflateflathet og ruhet ved å fjerne mikrodefekter, lag med spenningsskader og forurensning fra urenheter som metallioner.

Les mer

Krystallorientering og defekter i silisiumskiver

Den grunnleggende krystallenhetscellen til monokrystallinsk silisium er sinkblandingsstrukturen, der hvert silisiumatom binder seg kjemisk med fire nærliggende silisiumatomer. Denne strukturen finnes også i monokrystallinske karbondiamanter.

Les mer

SiC Single Crystal Substrate Processing

Silisiumkarbid (SiC) enkeltkrystaller produseres primært ved bruk av sublimeringsmetoden. Etter å ha fjernet krystallen fra digelen, kreves det flere intrikate behandlingstrinn for å lage brukbare wafere.

Les mer

<1 2 3 4 5...30 >