> Nyheter

Nyheter

Om defekter i SiC-krystaller - Mikrorør

SiC-substrat kan ha mikroskopiske defekter, slik som Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) og andre. Disse defektene er forårsaket av avvik i arrangementet av atomer på atomnivå. SiC-krystaller kan også ha makroskopiske dislokasjoner, som S......

Les mer

Hvorfor velge væskefase-epitaksimetoden?

Sammenlignet med PVT-metoden har væskefasemetoden for dyrking av SiC følgende fordeler:

Les mer

Hva er væskefase-epitaksi?

Væskefasemetoden er nærmere de termodynamiske likevektsforholdene og er i stand til å dyrke SiC-krystaller med bedre kvalitet.

Les mer

TaC belegg

I følge forskningsresultatene kan TaC-belegg fungere som et beskyttelses- og isolasjonslag for å forlenge grafittkomponenters levetid, forbedre radiell temperaturuniformitet, opprettholde SiC-sublimeringsstøkiometri, undertrykke urenhetsmigrering og redusere energiforbruket. Til syvende og sist forv......

Les mer

Hva er CVD-prosess i halvledere?

Kjemisk dampavsetning CVD refererer til innføring av to eller flere gassformige råmaterialer i et reaksjonskammer under vakuum og høye temperaturforhold, hvor de gassformige råstoffene reagerer med hverandre for å danne et nytt materiale, som avsettes på waferoverflaten.

Les mer

Oversikt over utvikling av solcelleindustrien

Innen 2027 vil solcelleenergi (PV) gå forbi kull som verdens største installerte kapasitet. Den kumulative installerte kapasiteten til solcellepaneler nesten tredobles i vår prognose, og vokser med nesten 1500 gigawatt i løpet av denne perioden, og vil overgå naturgass innen 2026 og kull innen 2027.

Les mer

<...31 32 33 34 35...37 >