Stiv grafitt filt

Stiv grafittfilt kan dannes ved myk filt laminering av herding og våt forming. Den vanlige lamineringsmetoden for å lage karbonfibergrafitt hardt filt bruker myk filt som råstoff. Produksjonsprosessen starter med å skjære: å kutte flere emner som er litt større enn den endelige harde filtstørrelsen fra den myke filt. Etter å ha kuttet, er det impregnert med harpiks og andre bindematerialer, og de impregnerte emnene er stablet i flere lag i henhold til den nødvendige harde filttykkelsen.

Impregneringen i myk filtproduksjon er hovedsakelig impregnering med katalysatorer for å gjøre viskosefibre mer stabil i påfølgende varmebehandling; Mens impregneringen av stiv grafittfilt hovedsakelig er impregnering med termohærdende harpiks. I den påfølgende oppvarmings- og herdingsprosessen stivner den flytende harpiksen, og de flere lagene med mykt filt er tett kombinert med harpiksen for å danne.

Harpiks + karbonfibergrafittmyk filt gjør at materialet kan oppnå effekten av "1 + 1> 2" i noen egenskaper. Etter oppvarming og herding kan ikke den flerlags myke filt impregnert med harpiks ikke lenger rulles opp som myk filt, og tettheten og trykkstyrken til materialet økes også.

Under PVT -veksten av enkeltkrystaller spiller karbonfiber en rolle i varmebevaring. Renheten til stiv grafittfilt er avgjørende for den vellykkede veksten av SIC -krystaller. Urenheter i isolasjonen følte materiale er en av kildene til urenhetsforurensning under vekstprosessen. Innholdet av viktige urenhetselementer i karbonfiberfilt kontrolleres under 10-6, og det totale askeinnholdet må kontrolleres strengt. I følge patentet vedtar den forskjellige høye temperaturer med flere trinns rensing av rensing, ved bruk av flere gassoppsirkulasjonstrinn i hvert trinn for å konvertere urenheter med høyt smeltepunkt til lavmeltingspunktforbindelser, og utladning av urenhetsgasser, og til slutt oppnå karbonfiber med høy renhet, hvis askeinnhold er mindre enn 20 kg.

Stiv grafittfilt har også viktige teknologier for strømningsfeltets enhetlighetskontroll, inkludert temperaturfelt og gasstrømningsfeltets enhetlighetskontroll. Temperaturfeltet er jevnt i enkeltkrystallovnen ved å designe temperaturkompensasjonsområder, uavhengig temperaturkontroll med flere soner og endre form og utforming av varmeren.