SiC-belagte grafittdigler

Installert i sentrum av høytemperatur krystallvekstovner,SiC-belagtgrafittdigler fungerer sammen med varmeovner, termiske isolasjonshylser, strømningslederrør og digelaksler for å danne det komplette termiske feltsystemet. Dette termiske feltsystemet kan opprettholde et stabilt høytemperaturmiljø som er avgjørende for krystallvekst.

Produksjon av SiC-belagtgrafittdiglerbegynner vanligvis med bruk av den avanserte kjemiske dampavsetningsteknologien for å jevnt avsette en tetthetsilisiumkarbidbelegg på overflaten av det dannede grafittsubstratet. Sammensatt av høy renhetgrafittsubstrat og det tette silisiumkarbidbelegget, SiC-belagt grafittdigel danner en synergistisk struktur som kombinerer den termiske ledningsevnen til grafitt med korrosjonsmotstanden til silisiumkarbid.

Czochralski-metoden er den universelle industrielle teknikken for krystallvekst. Denne teknikken vil utøve sentrifugalkraften på digelen under krystallproduksjonen. Den overlegne bøyestyrken og seigheten til SiC-belagte grafittdigler kan forhindre brudd eller sprekkdannelse under høyhastighetsrotasjon, og effektivt redusere produksjonsavbrudd forårsaket av digelskade. I tillegg må digler gjennomgå drastiske temperatursvingninger i løpet av kort tid under denne prosessen. Takket være deres bemerkelsesverdige termiske sjokkmotstand, kan SiC-belagte grafittdigler redusere strukturelle skader relatert til termisk stress, sikre stabiliteten til formen, og dermed redusere krystallvekstdefekter forårsaket av digeldeformasjon.

Under høye temperaturer vil SiC-belagte grafittdigler danne et tett beskyttende lag av silisiumkarbid. Dette beskyttende laget kan isolere grafittsubstratet fra silisiumdamp og smeltet silisium, og dermed minimere grafittsubstratkorrosjon og krystallforurensningsrisiko forbundet med beleggavskalling. Derfor kan Semicorex sine SiC-belagte grafittdigler tåle ulike komplekse høytemperaturkorrosjonsmiljøer i lengre perioder i faktisk drift. Dette sikrer konsistent krystallsammensetning og reduserer defektrater, som begge er avgjørende for produksjon av høykvalitets halvlederkrystaller.