SiC-belagte halvmånedeler

Halfmoon Parts, som er belagt med premium silisiumkarbid (SiC), er en essensiell funksjon i epitaksiske prosesser som både wafer-bærere og termiske ledere. Deres spesialiserte halvmåneform gir en metode for å sette sammen til en sylindrisk form som fungerer som en armatur i epitaksiale reaktorer. Innenfor kammer- eller reaktormiljøet må skivene sikres, men også jevnt oppvarmet mens den kritiske tynnfilmavsetningen finner sted. De SiC-belagte Halfmoon-delene gir akkurat den rette mengden mekanisk støtte, termisk stabilitet og kjemisk holdbarhet for å utføre disse oppgavene.

Grafitter substratmaterialet for Halfmoon Parts og valgt på grunn av sin meget gode varmeledningsevne og relativt lave vekt og styrke. Overflaten til grafitten er dekket med en tett, kjemisk dampavsatt silisiumkarbidoverflate (CVD SiC) med høy renhet for å være robust mot de aggressive miljøene forbundet med epitaksial vekst. SiC-belegget forbedrer overflatehardheten til delene og gir motstand mot reaktive gasser som hydrogen og klor, gir god langtidsstabilitet og svært begrenset forurensning under bearbeidingen. Grafitt og SiC jobber sammen i Halfmoon-delene for å gi den rette balansen mellom mekanisk styrke med kjemiske og termiske egenskaper.

En av de mest vitale rollene tilSiC belagtHalfmoon Parts er støtten til wafere. Wafere forventes å være flate og stabile gjennom hele epitaksen for å lette en jevn vekst av gitterstrukturen i de krystallinske lagene. Enhver grad av bøyning eller ustabilitet i støttedelene kan introdusere defekte lag i epitaksien og til slutt påvirke ytelsen til enheten. Halfmoon-delene er nøye produsert for den ultimate dimensjonsstabiliteten ved høye temperaturer for å begrense vridningspotensialet og gi passende waferplassering under en gitt epitaksial oppskrift. Denne strukturelle integriteten oversetter til bedre epitaksial kvalitet og større utbytte.

En like viktig funksjon til Halfmoon-delene er termisk ledning. I et epitaksialkammer er jevn varmeledningsevne i jevn tilstand nøkkelen til å oppnå tynne filmer av høy kvalitet. Grafittkjernen er ideell for termisk ledningsevne for å hjelpe til med oppvarmingsprosessen og lette jevn temperaturfordeling. SiC-belegget beskytter kjernen mot termisk tretthet, nedbrytning og forurensning i prosessen. Derfor kan skivene varmes jevnt opp for å oppnå jevn temperaturoverføring og støtte utviklingen av defektfrie epitaksiale lag. Med andre ord, for tynnfilmvekstprosesser som krever spesifikke termiske forhold, tilbyr SiC-belagte Halfmoon Parts både effektivitet og pålitelighet. Lang levetid er et sentralt aspekt ved komponentene. Epitaksi består ofte av termisk sykling i forhøyede temperaturer i overkant av hva vanlige konstruksjonsmaterialer tåler uten nedbrytning.

Renslighet er en annen viktig fordel. Siden epitaksi er svært følsom for forurensning, eliminerer bruk av CVD SiC-belegg med eksepsjonelt høy renhet forurensning fra reaksjonskammeret. Dette minimerer partikkelgenerering og beskytter skivene mot defekter. Fortsatt nedbemanning av enhetsgeometrier og kontinuerlig innsnevring av epitaksiale prosesskrav gjør kontamineringskontroll avgjørende for å sikre jevn produksjonskvalitet.

Semicorex SiC-belagte Halfmoon-deler løser ikke bare renslighetsproblemer, de er også fleksible og kan justeres for å passe til ulike epitaksiale systemkonfigurasjoner. De kan også produseres i visse dimensjoner, tykkelser på belegg og design/toleranser som hypotetisk passer inn i det krevende utstyret. Denne fleksibiliteten bidrar til å sikre at eksisterende utstyr kan integreres sømløst og opprettholde den mest gunstige prosesskompatibiliteten.