Semicorex tilbyr ulike typer 4H og 6H SiC wafere. Vi har vært produsent og leverandør av silisiumkarbidprodukter i mange år. Vår dobbeltpolerte 6 Tommers halvisolerende HPSI SiC Wafer har en god prisfordel og dekker de fleste europeiske og amerikanske markeder. Vi ser frem til å bli din langsiktige partner i Kina.
Semicorex har en komplett silisiumkarbid (SiC) wafer produktlinje, inkludert 4H og 6H substrater med N-type, P-type og høy renhet semi-isolerende wafere, de kan være med eller uten epitaksi.
6-tommers diameteren på vår 6-tommers halvisolerende HPSI SiC Wafer gir et stort overflateareal for produksjon av kraftelektroniske enheter som MOSFET-er, Schottky-dioder og andre høyspenningsapplikasjoner. 6 tommers halvisolerende HPSI SiC Wafer brukes hovedsakelig i 5G-kommunikasjon, radarsystemer, styrehoder, satellittkommunikasjon, krigsfly og andre felt, med fordelene ved å forbedre RF-rekkevidden, identifikasjon med ultralang rekkevidde, anti-jamming og høy -hastighets, høykapasitets informasjonsoverføringsapplikasjoner, anses som det mest ideelle substratet for å lage mikrobølgekraftenheter.
Spesifikasjoner:
● Diameter: 6"
●Dobbeltpolert
● Karakter: Produksjon, Forskning, Dummy
● 4H-SiC HPSI Wafer
● Tykkelse: 500±25 μm
● Mikrorørtetthet: ≤1 ea/cm2~ ≤15 ea/cm2
Varer |
Produksjon |
Forske |
Dummy |
Krystallparametere |
|||
Polytype |
4H |
||
Overflateorientering på aksen |
<0001 > |
||
Overflateorientering utenfor aksen |
0±0,2° |
||
(0004)FWHM |
≤45 buesek |
≤60 buesek |
≤1OOarcsec |
Elektriske parametere |
|||
Type |
HPSI |
||
Resistivitet |
≥1 E8ohm·cm |
100 % areal > 1 E5ohm·cm |
70 % areal > 1 E5ohm·cm |
Mekaniske parametere |
|||
Diameter |
150±0,2 mm |
||
Tykkelse |
500±25 μm |
||
Primær flat orientering |
[1-100]±5° eller hakk |
||
Primær flat lengde/dybde |
47,5±1,5 mm eller 1 - 1,25 mm |
||
TTV |
≤5 μm |
≤10 μm |
≤15 μm |
LTV |
≤3 μm (5mm*5mm) |
≤5 μm (5mm*5mm) |
≤10 μm (5mm*5mm) |
Bue |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
Warp |
≤35 μm |
≤45 μm |
≤55 μm |
Forside (Si-face) ruhet (AFM) |
Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
||
Struktur |
|||
Mikrorørtetthet |
≤1 ea/cm2 |
≤10 ea/cm2 |
≤15 ea/cm2 |
Karboninneslutningstetthet |
≤1 ea/cm2 |
AT |
|
Sekskantet tomrom |
Ingen |
AT |
|
Metallurenheter |
≤5E12atomer/cm2 |
AT |
|
Frontkvalitet |
|||
Front |
Og |
||
Overflatefinish |
Si-face CMP |
||
Partikler |
≤60ea/wafer (størrelse≥0,3μm) |
AT |
|
Riper |
≤5ea/mm. Kumulativ lengde ≤Diameter |
Akkumulert lengde≤300mm |
AT |
Appelsinskall/groper/flekker/striper/ sprekker/forurensning |
Ingen |
AT |
|
Kantspon/innrykk/brudd/hex-plater |
Ingen |
||
Polytype områder |
Ingen |
Akkumulert areal≤20 % |
Akkumulert areal≤30 % |
Lasermerking foran |
Ingen |
||
Ryggkvalitet |
|||
Avslutning bak |
C-ansikt CMP |
||
Riper |
≤5ea/mm, Kumulativ lengde≤2*Diameter |
AT |
|
Ryggdefekter (kantskår/innrykk) |
Ingen |
||
Ryggruhet |
Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
||
Lasermerking bak |
"SEMI" |
||
Kant |
|||
Kant |
Chamfer |
||
Emballasje |
|||
Emballasje |
Epi-klar med vakuumemballasje Multi-wafer kassettemballasje |
||
*Merknader: "NA" betyr ingen forespørsel. Elementer som ikke er nevnt kan referere til SEMI-STD. |