6'' Wafer Carrier for Aixtron G5

Semicorex 6'' Wafer Carrier for Aixtron G5, ofte referert til som susceptorer, spiller en viktig rolle ved å holde halvlederskivene sikkert under høytemperaturbehandling. Susceptorene sørger for at skivene forblir i en fast posisjon, noe som er avgjørende for jevn lagavsetning:

Termisk styring:

6'' Wafer Carrier for Aixtron G5 er designet for å gi jevn oppvarming og kjøling over waferoverflaten, noe som er avgjørende for de epitaksiale vekstprosessene som brukes til å lage høykvalitets halvlederlag.

Epitaksial vekst:

SiC- og GaN-lag:

Aixtron G5-plattformen brukes først og fremst til epitaksial vekst av SiC- og GaN-lag. Disse lagene er grunnleggende i produksjonen av transistorer med høy elektronmobilitet (HEMT), LED-er og andre avanserte halvlederenheter.

Presisjon og enhetlighet:

Den høye presisjonen og ensartetheten som kreves i den epitaksiale vekstprosessen tilrettelegges av de eksepsjonelle egenskapene til 6'' Wafer Carrier for Aixtron G5. Bæreren hjelper til med å oppnå den strenge tykkelsen og komposisjonens ensartethet som er nødvendig for høyytelses halvlederenheter.

Fordeler:

Høy temperatur stabilitet:

Ekstrem temperaturtoleranse:

6'' Wafer Carrier for Aixtron G5 tåler ekstremt høye temperaturer, ofte over 1600°C. Denne stabiliteten er avgjørende for epitaksiale prosesser som krever vedvarende høye temperaturer i lengre perioder.

Termisk integritet:

Evnen til 6'' Wafer Carrier for Aixtron G5 til å opprettholde strukturell integritet ved så høye temperaturer sikrer konsistent ytelse og reduserer risikoen for termisk degradering, noe som kan kompromittere kvaliteten på halvlederlagene.

Utmerket termisk ledningsevne:

Varmefordeling:

Den høye termiske ledningsevnen til SiC letter effektiv varmeoverføring over waferoverflaten, og sikrer en jevn temperaturprofil. Denne jevnheten er avgjørende for å unngå termiske gradienter som kan føre til defekter og ujevnheter i de epitaksiale lagene.

Forbedret prosesskontroll:

Forbedret termisk styring gir bedre kontroll over den epitaksiale vekstprosessen, noe som muliggjør produksjon av halvlederlag av høyere kvalitet med færre defekter.

Kjemisk motstand:

Korrosiv miljøkompatibilitet:

6'' Wafer Carrier for Aixtron G5 gir eksepsjonell motstand mot de korrosive gassene som vanligvis brukes i CVD-prosesser, som hydrogen og ammoniakk. Denne motstanden forlenger levetiden til waferbærerne ved å beskytte grafittsubstratet mot kjemisk angrep.

Reduserte vedlikeholdskostnader:

Holdbarheten til 6'' Wafer Carrier for Aixtron G5 reduserer frekvensen av vedlikehold og utskiftninger, noe som fører til lavere driftskostnader og økt oppetid for Aixtron G5-utstyret.

Lav termisk ekspansjonskoeffisient (CTE):

Minimert termisk stress:

SiCs lave CTE bidrar til å minimere termisk stress under de raske oppvarmings- og avkjølingssyklusene som er iboende i epitaksiale vekstprosesser. Denne reduksjonen i termisk stress reduserer sannsynligheten for at wafer sprekker eller vri seg, noe som kan føre til enhetsfeil.

Kompatibilitet med Aixtron G5-utstyr:

Skreddersydd design:

Semicorex 6'' Wafer Carrier for Aixtron G5 er spesielt utviklet for å være kompatibel med Aixtron G5-utstyr, noe som sikrer optimal ytelse og sømløs integrasjon.

Maksimert ytelse:

Denne kompatibiliteten maksimerer ytelsen og effektiviteten til Aixtron G5-systemet, slik at det kan møte de strenge kravene til moderne halvlederproduksjonsprosesser.