8 tommers epi bunnring

Semicorex 8 -tommers Epi -bunnring er en viktig strukturell del som brukes til halvlederpitaksiutstyr og er spesielt designet for å være bunnringen til den komplette masceptorenheten. Den nederste ringen støtter wafer -bærersystemet under epitaksial vekst av skiven, mens den bidrar med mekaniska -stabilitet, termisk enhetlighet og prosessintegritet som er nødvendig for å produsere høye ytelser halvlederskiver. Den nederste ringen er produsert av grafitt med høy renhet som er belagt, på overflatenivå, med et tett og jevn belegg av silisiumkarbid (SIC). Som et resultat representerer det et svært pålitelig alternativ for avanserte epitaksiale reaktorer under ekstreme termiske og kjemiske forhold.

Grafitt er det mest passende basismaterialet for bunnringen på grunn av dens lette, utmerkede termiske leder og ikke-kompleks konstruksjon med tangensiell og vertikale dimensjonsstabilitet under høy temperatur. Disse egenskapene tillater bunnringen å sykle termisk i hastighet og viser derfor konsistent kontinuitet i mekanisk ytelse mens de er i tjeneste. SiC ytre belegg påføres ved bruk av en kjemisk dampavsetning (CVD) -prosess for å produsere et tett og defektfritt keramisk ytre lag. I tillegg gir CVD -prosessen en prosess som begrenser slitasje og partikkelgenerering ved å håndtere SIC -belegget med forsiktighet for ikke å forstyrre det underliggende underlagsgrafitt. Som en sammenslåing av SIC og grafitt, er SIC -overflatelaget kjemisk inert til den korrosive virkningen av prosessgasser, spesielt med hydrogen og klorerte biprodukter, og har både utmerket hardhet og slitasje motstand - og sikrer så mye støtte til skavsbærersystemet som mulig mens du er i bruk.

Den 8 tommers Epi -bunnringen er laget for kompatibilitet med de fleste horisontale eller vertikale MOCVD- og CVD -epitaksiale verktøy som avsetter silisium, silisiumkarbid eller sammensatt halvledere. Den optimaliserte geometrien er designet for å passe til masceptoren og toppkomponentene i wafer -holdersystemet med presis innretting, universell varmefordeling og stabilitet i skivrotasjon. Ringens utmerkede flathet og konsentrisitet til å importere epitaksiale lag ensartethet og minimere defekter på skiven.

En av fordelene med denne SIC -belagte grafittringen er den lave partikkelutslippsatferden som minimerer forurensning av skiven mens du er i prosessering. SIC-laget senker ut-gassing og generering av karbonpartikler sammenlignet med ikke-belagte grafittkomponenter for å oppnå rene kammermiljøer og høyere utbyttehastigheter. I tillegg forlenger den utmerkede termiske sjokkmotstanden til den sammensatte strukturen produktets levetid, reduserer erstatning og lavere driftskostnader for halvlederprodusenter.

Alle bunnringer er dimensjonalt sjekket, overflatekvalitetsjekket og termisk syklus testet for å sikre at de oppfyller de betydelige miljøbehovene til en halvlederproduksjonsmiljø. I tillegg er SIC overflatebeleggstykkelse mer enn tilstrekkelig for mekanisk og termisk potensiell kompatibilitet; SIC -belegg blir rutinemessig undersøkt for vedheftingsfaktorer som sikrer at skrelling eller flassing ikke oppstår når bunnringene blir utsatt for avsetning med høy temperatur. Den flate bunnringen kan tilpasses med få mindre dimensjonale og beleggegenskapsvariasjoner for individuell reaktordesign og prosessapplikasjoner.

Semicorex 8 -tommers EPI -bunnring fra Semicorex gir en utmerket balanse av styrke, kjemisk motstand og gunstige termiske egenskaper for epitaksiale vekstsystemer. På grunn av de kjente fordelene med SIC -belagt grafitt, gir denne bunnringen høyere skivekvalitet, lavere forurensningssannsynlighet og lengre levetid i en hvilken som helst høy temperaturavsetningsprosess. Denne bunnringen er konstruert for bruk med SI, SIC eller III-V Material Epitaxial Growth; Det er laget for å tilby pålitelig, repeterbar komfort i produksjonen av krevende halvledermateriale.