ICP Plasma Etsing System

Semicorex sin SiC-belagte bærer for ICP Plasma Etching System er en pålitelig og kostnadseffektiv løsning for høytemperatur-waferhåndteringsprosesser som epitaksi og MOCVD. Våre bærere har et fint SiC-krystallbelegg som gir overlegen varmebestandighet, jevn termisk jevnhet og holdbar kjemisk motstand.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

Oppnå epitaksi og MOCVD-prosesser av høyeste kvalitet med Semicorex sin SiC-belagte bærer for ICP Plasma Etching System. Produktet vårt er utviklet spesielt for disse prosessene, og tilbyr overlegen varme- og korrosjonsbestandighet. Vårt fine SiC-krystallbelegg gir en ren og glatt overflate, noe som gir optimal håndtering av wafere.
Kontakt oss i dag for å lære mer om vår SiC-belagte bærer for ICP Plasma Etching System.

Parametre for SiC-belagt bærer for ICP Plasma Etching System

Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg
SiC-CVD-egenskaper
Krystallstruktur	FCC β-fase
Tetthet	g/cm³	3.21
Hardhet	Vickers hardhet	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kjemisk renhet	%	99.99995
Varmekapasitet	J kg-1 K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøy, 1300 ℃)	430
Termisk ekspansjon (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300