LPE del

Semicorex LPE-deler er høyytelses SiC-belagte komponenter spesielt utviklet for bruk i SiC-epitaksiprosessen. Disse komponentene er konstruert for å tåle de krevende forholdene for SiC-krystallvekst, og gir overlegen termisk stabilitet, kjemisk motstand og mekanisk styrke. Når du velger Semicorex sine LPE-deler, er du garantert eksepsjonell holdbarhet, presisjon og en skreddersydd løsning for dine SiC-epitaksiprosessbehov.

Semicorex LPE-deler er laget med avanserte materialer og presise produksjonsteknikker, noe som sikrer konsistens og pålitelighet i hver enhet. De fysiske og kjemiske egenskapene til belegget har strenge krav til høy temperaturbestandighet og korrosjonsbestandighet, noe som direkte påvirker produktets utbytte og levetid. SiC-materiale har høy styrke, høy hardhet, lav termisk ekspansjonskoeffisient og god varmeledningsevne. Det er et viktig høytemperatur strukturelt materiale og høytemperatur halvledermateriale. Det brukes på grafittbaser. Dens fordeler er:

1) SiC er korrosjonsbestandig og kan pakke inn grafittbasen fullstendig, og har god tetthet for å unngå skade av korrosive gasser. 2) SiC har høy varmeledningsevne og høy bindestyrke med grafittbasen, noe som sikrer at belegget ikke er lett å falle av etter å ha opplevd flere høytemperatur- og lavtemperatursykluser. 3) SiC har god kjemisk stabilitet for å unngå svikt i belegget i en høy temperatur og korrosiv atmosfære. I tillegg krever epitaksiale ovner av forskjellige materialer grafittbrett med forskjellige ytelsesindikatorer. Tilpasningen av den termiske ekspansjonskoeffisienten til grafittmaterialer krever tilpasning til veksttemperaturen til epitaksialovnen. For eksempel er temperaturen på silisiumkarbidepitaxi høy, og det kreves et brett med en høy termisk ekspansjonskoeffisient. Den termiske ekspansjonskoeffisienten til SiC er svært nær den til grafitt, noe som gjør den egnet som det foretrukne materialet for overflatebelegget til grafittbasen.

Applikasjoner i SiC Epitaxy Process

SiC-epitaksiprosessen er et kritisk trinn i produksjonen av høykvalitets SiC-skiver som brukes til halvlederenheter, inkludert kraftelektronikk og optoelektronikk. LPE-deler, spesielt de med SiC-belegg, spiller en viktig rolle i den nøyaktige kontrollen av temperatur og kjemiske reaksjoner i reaktoren. Disse komponentene er strategisk plassert i reaktoren for å lette optimal wafervekst samtidig som renheten og jevnheten til SiC-krystallene opprettholdes.

Hos Semicorex forstår vi at hver SiC-epitaksiprosess har unike krav. Det er derfor våre LPE-deler kan tilpasses fullt ut for å møte de spesifikke behovene til din operasjon. Enten det er størrelsen, formen eller beleggtykkelsen, jobber ingeniørteamet vårt tett med kundene for å levere komponenter som optimerer produksjonsprosessene deres.

SiC-belegget av høy kvalitet påført delene våre sikrer også overlegen holdbarhet. I motsetning til konvensjonelle materialer, tilbyr SiC en lengre levetid under tøffe driftsforhold, noe som reduserer hyppigheten av vedlikehold og nedetid. Denne levetiden betyr lavere driftskostnader og økt effektivitet for halvlederprodusenter.

Semicorex LPE-deler er utformet med presisjon og konstruert for å møte de strenge kravene til SiC-epitaksiprosessen. Komponentene våre produseres ved hjelp av den nyeste teknologien, noe som sikrer at de gir uovertruffen ytelse og lang levetid. Ved å velge Semicorex velger du en partner som forstår kompleksiteten i halvlederproduksjon og er forpliktet til å levere pålitelige produkter av høy kvalitet som forbedrer produksjonsevnene dine.

Semicorex LPE-deler, med sineSiC belegg, er det ideelle valget for å forbedre ytelsen og levetiden til SiC epitaksereaktorer. Disse komponentene gir overlegen termisk stabilitet, kjemisk motstand og mekanisk styrke, og sikrer at SiC-krystallvekstprosessen går jevnt og effektivt. Med tilgjengelige tilpasningsmuligheter tilbyr Semicorex en skreddersydd løsning som oppfyller dine spesifikke prosesskrav, noe som gjør oss til den pålitelige partneren for halvlederprodusenter over hele verden.