TaC-belegg med CVD-metode

Tantalkarbidbelegg er et viktig høyfast, korrosjonsbestandig og kjemisk stabilt høytemperatur-konstruksjonsmateriale med et smeltepunkt på opptil 4273 °C, en av flere forbindelser med høyest temperaturbestandighet. Den har utmerkede høytemperatur mekaniske egenskaper, motstand mot høyhastighets luftstrømsskuring, ablasjonsmotstand og god kjemisk og mekanisk kompatibilitet med grafitt og karbon/karbon-kompositter. Derfor, i den epitaksiale prosessen til GaN LED-er og SiC-kraftenheter som MOCVD, har TaC-belegg utmerket syre- og alkaliresistens mot H2, HCl, NH3, som fullstendig kan beskytte grafittsubstratmaterialet og rense vekstmiljøet.

TaC-belegget forblir stabilt ved temperaturer over 2000 °C, mens SiC-belegget begynner å dekomponere ved 1200-1400 °C, noe som også vil forbedre integriteten til grafittsubstratet. Tantalkarbidbelegg er for tiden fremstilt på grafittsubstrater hovedsakelig av CVD, og ​​produksjonskapasiteten til TaC-belegg vil bli ytterligere forbedret for å møte etterspørselen etter SiC-kraftenheter og GaNLEDs epitaksiale enheter.

Det kjemiske reaksjonssystemet som brukes til å avsette tantalkarbidbelegg på karbonmaterialer ved kjemisk dampavsetning (CVD) er TaCl5, C3H6, H2 og Ar, der Ar brukes som en fortynnings- og transportgass.

Tantalkarbidbelegg spiller en sentral rolle i den epitaksiale prosessen til GaN LED-er og SiC-kraftenheter som bruker MOCVD. De avanserte materialene beskytter viktige komponenter, og sikrer deres levetid og ytelse under de tøffe forholdene forbundet med høytemperatur-halvlederproduksjon.

Ettersom etterspørselen etter SiC-kraftenheter og GaN LED-er fortsetter å øke, er produksjonskapasiteten til tantalkarbidbelegg satt til å utvide seg. Produsenter er klar til å møte de økende kravene til disse industriene, noe som letter utviklingen av høytemperaturteknologi.

For å konkludere,tantalkarbidbeleggrepresenterer et utrolig teknologisk sprang når det gjelder å sikre holdbarheten og påliteligheten til materialer i høytemperaturmiljøer. Ettersom de fortsetter å revolusjonere halvleder- og kraftelektronikksektorene, understreker disse beleggene deres status som et kritisk element i moderne høyteknologiske fremskritt.