Innenfor enkeltkrystallvekst spiller temperaturfordelingen i krystallvekstovnen en kritisk rolle. Denne temperaturfordelingen, ofte referert til som det termiske feltet, er en viktig faktor som påvirker kvaliteten og egenskapene til krystallen som dyrkes. Det termiske feltet kan kategoriseres i to t......
Les merIsostatisk presseteknologi er en kritisk prosess i produksjonen av isostatisk grafitt, som i stor grad bestemmer ytelsen til sluttproduktet. Som sådan forblir omfattende forskning og optimalisering av isostatisk grafittproduksjon viktige fokuspunkter i industrien.
Les merKarbonbaserte materialer som grafitt, karbonfibre og karbon/karbon (C/C) kompositter er kjent for sin høye spesifikke styrke, høye spesifikke modul og utmerkede termiske egenskaper, noe som gjør dem egnet for et bredt spekter av høytemperaturapplikasjoner . Disse materialene er mye brukt i romfart, ......
Les merGalliumnitrid (GaN) er et viktig materiale innen halvlederteknologi, kjent for sine eksepsjonelle elektroniske og optiske egenskaper. GaN, som en halvleder med bredt båndgap, har en båndgapenergi på omtrent 3,4 eV, noe som gjør den ideell for høyeffekts- og høyfrekvente applikasjoner.
Les merSilisiumkarbid (SiC) krystallvekstovner er hjørnesteinen i produksjonen av SiC-wafer. Mens de deler likheter med tradisjonelle silisiumkrystallvekstovner, står SiC-ovner overfor unike utfordringer på grunn av materialets ekstreme vekstforhold og komplekse defektdannelsesmekanismer. Disse utfordringe......
Les merGrafitt er viktig for å produsere silisiumkarbid (SiC) halvledere, kjent for sine eksepsjonelle termiske og elektriske egenskaper. Dette gjør SiC ideell for applikasjoner med høy effekt, høy temperatur og høy frekvens. I SiC-halvlederproduksjon brukes grafitt ofte til digler, varmeovner og andre høy......
Les mer