SiC-substrat kan ha mikroskopiske defekter, slik som Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) og andre. Disse defektene er forårsaket av avvik i arrangementet av atomer på atomnivå. SiC-krystaller kan også ha makroskopiske dislokasjoner, som S......
Les merI følge forskningsresultatene kan TaC-belegg fungere som et beskyttelses- og isolasjonslag for å forlenge grafittkomponenters levetid, forbedre radiell temperaturuniformitet, opprettholde SiC-sublimeringsstøkiometri, undertrykke urenhetsmigrering og redusere energiforbruket. Til syvende og sist forv......
Les merKjemisk dampavsetning CVD refererer til innføring av to eller flere gassformige råmaterialer i et reaksjonskammer under vakuum og høye temperaturforhold, hvor de gassformige råstoffene reagerer med hverandre for å danne et nytt materiale, som avsettes på waferoverflaten.
Les mer