- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nyheter
Hva er utfordringene med produksjon av silisiumkarbidsubstrat?
Silisiumkarbid (SiC) er et materiale som har høy bindingsenergi, lik andre harde materialer som diamant og kubisk bornitrid. Imidlertid gjør den høye bindingsenergien til SiC det vanskelig å krystallisere direkte til ingots via tradisjonelle smeltemetoder. Derfor involverer prosessen med å dyrke sil......
Les mer
Silisiumkarbidindustrien
Silisiumkarbidindustrien involverer en kjede av prosesser som inkluderer substratskaping, epitaksial vekst, enhetsdesign, enhetsproduksjon, pakking og testing. Generelt lages silisiumkarbid som ingots, som deretter skives, slipes og poleres for å produsere et silisiumkarbidsubstrat.
Les mer
Hva er silisiumkarbid (SiC)?
Halvledermaterialer kan deles inn i tre generasjoner i henhold til tidssekvensen. Den første generasjonen germanium, silisium og andre vanlige monomaterialer, som er preget av praktisk svitsjing, vanligvis brukt i integrerte kretser. Den andre generasjonen av galliumarsenid, indiumfosfid og andre sa......
Les mer
Kan du slipe silisiumkarbid?
Silisiumkarbid (SiC) har viktige anvendelser innen områder som kraftelektronikk, høyfrekvente RF-enheter og sensorer for høytemperaturbestandige miljøer på grunn av dets utmerkede fysisk-kjemiske egenskaper. Imidlertid introduserer skjæringsoperasjonen under SiC-wafer-behandling skader på overflaten......
Les mer
GaN vs SiC
Det er flere materialer som for tiden undersøkes, blant dem skiller silisiumkarbid seg ut som et av de mest lovende. I likhet med GaN har den høyere driftsspenninger, høyere sammenbruddsspenninger og overlegen ledningsevne sammenlignet med silisium. Takket være sin høye varmeledningsevne kan silisiu......
Les mer
Fordeler og ulemper med galliumnitrid (GaN)-applikasjoner
Mens verden ser etter nye muligheter innen halvledere, fortsetter galliumnitrid å skille seg ut som en potensiell kandidat for fremtidige kraft- og RF-applikasjoner. Men på tross av alle fordelene den tilbyr, står den fortsatt overfor en stor utfordring; det er ingen P-type (P-type) produkter. Hvorf......
Les mer
