Og underlag

Semicorex Si Substrate er en kritisk komponent i produksjonen av halvlederenheter, solceller og ulike elektroniske komponenter. Silisiums utmerkede halvlederegenskaper, kombinert med dets termiske og mekaniske stabilitet, gjør det til det mest brukte substratmaterialet i elektronikk. Med applikasjoner som spenner over et stort spekter av teknologier – som integrerte kretser (IC), solcellepaneler og kraftenheter – spiller Si-substratet en grunnleggende rolle i ytelsen, effektiviteten og påliteligheten til halvlederenheter. Vårt Si-substrat er designet for å møte de strenge kravene til moderne elektronikk og for å gi en optimal base for avanserte applikasjoner innen halvlederteknologi.

Funksjoner og spesifikasjoner

Materiale med høy renhet:Våre Si-substrater er produsert med høyrent silisium, noe som sikrer minimalt med urenheter som kan påvirke elektriske egenskaper. Dette materialet med høy renhet gir overlegen varmeledningsevne og minimerer uønsket elektronisk interferens, noe som er avgjørende i høyytelsesapplikasjoner.

Optimalisert krystallorientering:Si-substratet er tilgjengelig i forskjellige krystallretninger, inkludert (100), (110) og (111), hver egnet for forskjellige bruksområder. For eksempel er (100)-orienteringen mye brukt i CMOS-fabrikasjon, mens (111) ofte foretrekkes for høyeffektapplikasjoner. Dette valget gjør det mulig for brukere å skreddersy underlaget til spesifikke enhetskrav.

Overflatekvalitet og planhet:Å oppnå en jevn, defektfri overflate er avgjørende for optimal enhetsytelse. Våre Si-underlag er nøyaktig polert og behandlet for å sikre lav overflateruhet og høy planhet. Disse attributtene bidrar til effektiv epitaksial lagavsetning, og minimerer defekter i påfølgende lag.

Termisk stabilitet:Silisiums termiske egenskaper gjør den egnet for enheter som krever pålitelig ytelse ved ulike temperaturer. Si-substratet vårt opprettholder stabilitet under høytemperaturprosesser, som oksidasjon og diffusjon, og sikrer at det tåler kravene til kompleks halvlederproduksjon.

Tilpasningsalternativer:Vi tilbyr Si-substrater i en rekke tykkelser, diametre og dopingnivåer. Tilpasningsalternativer lar produsenter optimalisere underlaget for spesifikke elektriske egenskaper, som resistivitet og bærerkonsentrasjon, som er avgjørende for å justere ytelsen til elektroniske enheter.

Søknader

Integrerte kretser (ICs):Si-substratet er et grunnleggende materiale i IC-produksjon, og gir et stabilt og enhetlig grunnlag for enheter som prosessorer, minnebrikker og sensorer. Dens utmerkede elektroniske egenskaper tillater presis kontroll over enhetsparametere, avgjørende for den tette pakkingen av transistorer i moderne IC-er.

Strømenheter:Si-substrater brukes ofte i krafthalvlederenheter, som MOSFET-er og IGBT-er, hvor høy termisk ledningsevne og mekanisk styrke er avgjørende. Strømenheter krever substrater som tåler høye spenninger og strømmer, og Si-substratene våre leverer eksepsjonell ytelse i disse krevende miljøene.

Fotovoltaiske celler:Silisium er det mest brukte materialet i fotovoltaiske celler, på grunn av dets effektivitet når det gjelder å konvertere sollys til elektrisitet. Si-substratene våre gir den høyrenhet, stabile basen som trengs for solcelleapplikasjoner, og muliggjør effektiv lysabsorpsjon og høy energiproduksjon, og bidrar dermed til produksjonen av fornybar energi.

Mikroelektromekaniske systemer (MEMS):MEMS-enheter er ofte avhengige av Si-substrater på grunn av deres stabilitet, enkle mikrobearbeiding og kompatibilitet med konvensjonelle halvlederprosesser. Applikasjoner i sensorer, aktuatorer og mikrofluidiske enheter drar nytte av Si-substratets holdbarhet og presisjon.

Optoelektroniske enheter:For lysemitterende dioder (LED) og laserdioder tilbyr Si Substrate en plattform som er kompatibel med en rekke tynnfilmavsetningsprosesser. Dens termiske og elektriske egenskaper muliggjør pålitelig ytelse i optoelektroniske applikasjoner.