SiC-belagte epitaksiale susceptorer

Semicorex SiC-belagte epitaksiale susceptorer er de essensielle komponentene som brukes i halvlederepitaksiale vekstprosessen for å stabilt støtte og fikse halvlederskivene. Ved å utnytte modne produksjonsevner og state-of-the-art produksjonsteknologier, er Semicorex forpliktet til å levere markedsledende kvalitet og konkurransedyktig priset SiC-belagte epitaksiale susceptorer til våre verdsatte kunder.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

Halvlederunderlagkan ikke plasseres direkte på basen i MOCVD- eller CVD-utstyr under epitaksial avsetning på grunn av virkningen av flere kritiske faktorer, inkludert gassstrømretning (horisontal og vertikal), temperatur, trykk, substratfiksering og partikkelforurensning. Av denne grunn må de epitaksiale susceptorene plasseres i midten av reaksjonskammeret i MOCVD/CVD-systemer for å støtte og sikre halvledersubstrater, og dermed forhindre forringelse av epitaksial vekstkvalitet forårsaket av vibrasjon eller posisjonsforskyvning.

Høyrent grafitt brukes som matrisemateriale for SemicorexSiC-belagte epitaksiale susceptorer, med silisiumkarbidbelegget avsatt på overflaten ved hjelp av avanserte CVD-teknikker. Semicorex SiC-belagte epitaksiale susceptorer er de uunnværlige komponentene i den epitaksiale lagdannelsesprosessen. Deres primære rolle er å gi et stabilt og kontrollerbart driftsmiljø for vekst av epitaksiale lag på halvledersubstrater, som derved kan sikre konsistensen av waferoverflatekvaliteten.

Egenskapene til Semicorex SiC-belagte epitaksiale susceptorer

1. Enestående motstand mot høye temperaturer som tåler 1600 ℃ driftsforhold.

2.Høy termisk ledningsevne, gir rask varmeoverføring for å opprettholde jevn temperaturfordeling på halvledersubstratene.

3. Sterk kjemisk korrosjonsbestandighet for å motstå kjemisk nedbrytning og korrosjon, unngå prosesskontaminering av underlag og epitaksiale lag.

4. Overlegen termisk støtmotstand for å unngå at belegget sprekker og delaminerer.

5. Eksepsjonell flathet på overflaten, passer tett til underlag som minimerer mellomrom og defekter.

6. Lengre levetid, reduserer tid og økonomiske tap forårsaket av utskifting og vedlikehold av deler.

Anvendelsene av Semicorex SiC-belagte epitaksiale susceptorer

Med flere utmerkede fordeler spiller Semicorex SiC-belagte epitaksiale susceptorer en sentral rolle i å lette jevn og kontrollerbar vekst av epitaksiale tynne filmer og brukes mye i halvlederepitaksialvekstprosessen.

1.GaN epitaksial vekst

2.SiC epitaksial vekst

3.Si epitaksial vekst