SiC-belagt støttering

Semicorex SiC-belagt støttering spiller en kritisk rolle for å sikre presisjonen og kvaliteten til epitaksiale lag avsatt på halvlederskiver.

Den SiC-belagte støtteringen gir et robust beskyttende lag som tåler ekstreme temperaturer og korrosive miljøer som er typiske i epitaksiale vekstreaktorer. SiCs overlegne termiske egenskaper sikrer jevn temperaturfordeling over waferoverflaten, og minimerer termiske gradienter og spenninger. Denne stabiliteten er avgjørende for å oppnå epitaksiale lag av høy kvalitet med minimale defekter.

Den SiC-belagte støtteringen motstår kjemiske angrep fra reaktive gasser som brukes i epitaksialprosessen, forlenger støtteringens driftslevetid og opprettholder prosessens integritet. Denne motstanden reduserer forurensningsrisikoen, og bidrar til høyere renhet og bedre ytelse til halvlederenhetene.

SiC-belagt støttering opprettholder presis waferposisjonering, kritisk for jevn lagavsetning. Den SiC-belagte støtteringens strukturelle integritet under høye temperaturforhold sikrer konsistent ytelse over flere behandlingssykluser.

Semicorex SiC Coated Support Ring er en sentral komponent i å fremme halvlederteknologi, som sikrer produksjon av høykvalitetsenheter med optimal ytelse og pålitelighet.