TAC belegg halvmåne del

TAC keramikk har et smeltepunkt på opptil 3880 ° C, høy hardhet (MOHS hardhet 9-10), stor termisk ledningsevne (22W · m-1 · K-1), stor bøyestyrke (340-400MPa) og liten termal ekspansjonskoeffisient (6,6 × 10-6K-1). De viser også utmerket termokjemisk stabilitet og utmerkede fysiske egenskaper, og har god kjemisk og mekanisk kompatibilitet med grafitt- og C/C -kompositter. Derfor er TAC -belegg mye brukt i luftfarts termisk beskyttelse, enkeltkrystallvekst, energielektronikk og medisinsk utstyr.

TAC-belagt grafitt har bedre kjemisk korrosjonsmotstand enn bar grafitt eller SIC-belagt grafitt, kan brukes stabilt ved høye temperaturer på 2600 °, og reagerer ikke med mange metallelementer. Det er det beste belegget i tredje generasjons halvleder enkeltkrystallvekst og etsningsscenarier, og kan forbedre kontrollen av temperatur og urenheter betydelig i prosessen, og forberede silisiumkarbidskiver av høy kvalitet og relaterte epitaksiale skiver. Det er spesielt egnet for dyrking av GaN- eller ALN -krystaller med MOCVD -utstyr og voksende SIC -enkeltkrystaller med PVT -utstyr. Kvaliteten på de voksne enkeltkrystallene er betydelig forbedret.

Dette produktet er en ideell løsning for produsenter som prioriterer presisjon, effektivitet og holdbarhet i deres epitaksiprosesser. Stol på Semicorex for høyytelsesløsninger designet for å imøtekomme de utviklende behovene i halvlederindustrien.