Epitaksial Single-crystal Si Plate

Epitaksial Single-crystal Si Plate innkapsler toppen av raffinement, holdbarhet og pålitelighet for applikasjoner knyttet til grafittepitaksi og wafermanipulering. Den utmerker seg ved sin tetthet, planhet og termiske styringsevner, og posisjonerer den som det optimale valget for strenge driftsforhold. Semicorex sin forpliktelse til markedsledende kvalitet, alliert med konkurransedyktige skattemessige hensyn, befester vår iver etter å etablere partnerskap for å oppfylle dine krav til transport av halvlederwafer.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

En overordnet egenskap ved den epitaksiale Single-crystal Si Plate ligger i dens overlegne tetthet. Integreringen av et grafittsubstrat med et silisiumkarbidbelegg gir en omfattende tetthet som er dyktig til å skjerme mot de strenge forholdene som oppstår i høye temperaturer og korrosive miljøer. Dessuten har den silisiumkarbidbelagte susceptoren, skreddersydd for syntese av enkeltkrystaller, en usedvanlig jevn overflateprofil - en kritisk determinant for vedvarende produksjon av wafere av upåklagelig kvalitet.

Like sentralt for vårt produkts design er å redusere termiske ekspansjonsavvik mellom grafittkjernen og silisiumkarbidbelegget. En slik innovasjon øker limets robusthet markant, og omgår dermed fenomenene med sprekker og lagdeling. Synkronisert med dette viser Epitaxial Single-crystal Si Plate forhøyet termisk ledningsevne, parret med en prisverdig tilbøyelighet til jevn varmeallokering - faktorer som er medvirkende til å oppnå homogenitet i temperaturen under produksjonssyklusen.

Dessuten demonstrerer den epitaksielle enkeltkrystall Si-platen prisverdig motstandskraft mot oksidativ og korrosiv nedbrytning ved høye temperaturer, noe som underbygger dens levetid og pålitelighet. Terskelen for termisk utholdenhet understrekes av et betydelig smeltepunkt, og sikrer dermed dens kapasitet til å tåle det krevende termiske miljøet som er iboende for dyktig halvlederproduksjon