Monokrystallinsk silisium wafer susceptor

Semicorex Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor er den ideelle løsningen for grafittepitaksi og waferhåndteringsprosesser. Vårt ultrarene produkt sikrer minimal forurensning og eksepsjonell ytelse med lang levetid, noe som gjør det til et populært valg i mange europeiske og amerikanske markeder. Som en ledende leverandør av halvlederwafer-bærere i Kina, ser vi frem til å bli din langsiktige partner.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

Vår monokrystallinske silisium-epitaksiale susceptor er et grafittprodukt belagt med høyrent SiC, som har høy varme- og korrosjonsbestandighet. Den CVD silisiumkarbidbelagte bæreren brukes i prosesser som danner det epitaksiale laget på halvlederskiver. Den har høy varmeledningsevne og utmerkede varmefordelingsegenskaper, noe som er avgjørende for effektive og presise produksjonsprosesser for halvledere.
En av nøkkelegenskapene til vår Monokrystallinske Silisium Wafer Susceptor er dens utmerkede tetthet. Både grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget har god tetthet og kan spille en god beskyttende rolle i høytemperatur og korrosive arbeidsmiljøer. Den silisiumkarbidbelagte susceptoren som brukes for enkeltkrystallvekst har en meget høy overflateflathet, noe som er avgjørende for å opprettholde høykvalitets waferproduksjon.
Et annet viktig trekk ved produktet vårt er dets evne til å redusere forskjellen i termisk ekspansjonskoeffisient mellom grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget. Dette forbedrer effektivt bindestyrken, og forhindrer sprekker og delaminering. I tillegg har både grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget høy varmeledningsevne og utmerkede varmefordelingsegenskaper, noe som sikrer at varmen fordeles jevnt under produksjonsprosessen.
Vår Monokrystallinske Silisium Wafer Susceptor er også motstandsdyktig mot høytemperaturoksidasjon og korrosjon, noe som gjør den til et pålitelig og holdbart produkt. Det høye smeltepunktet sikrer at den tåler høytemperaturmiljøet som kreves for effektiv halvlederproduksjon.
Som konklusjon er Semicorex Monocrystalline Silicon Wafer Susceptor en ultraren, holdbar og pålitelig løsning for grafittepitaxi og waferhåndteringsprosesser. Dens utmerkede tetthet, flate overflate og varmeledningsevne gjør den ideell for bruk i høye temperaturer og korrosive miljøer. Vi setter vår ære i å tilby produkter av høy kvalitet til konkurransedyktige priser og ser frem til å samarbeide med deg for alle dine behov for halvlederwaferbærer.

Parametre for monokrystallinsk silisiumwafer-susceptor

Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg
SiC-CVD-egenskaper
Krystallstruktur	FCC β-fase
Tetthet	g/cm³	3.21
Hardhet	Vickers hardhet	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kjemisk renhet	%	99.99995
Varmekapasitet	J kg-1 K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøy, 1300 ℃)	430
Termisk ekspansjon (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300

Egenskaper til Monokrystallinsk Silisium Wafer Susceptor

- Unngå å flasse av og sørg for belegg på alle overflater
Høy temperatur oksidasjonsmotstand: Stabil ved høye temperaturer opp til 1600°C
Høy renhet: laget av CVD kjemisk dampavsetning under høytemperaturkloreringsforhold.
Korrosjonsbestandighet: høy hardhet, tett overflate og fine partikler.
Korrosjonsbestandighet: syre, alkali, salt og organiske reagenser.
- Oppnå det beste laminære gassstrømningsmønsteret
- Garanterer jevnhet av termisk profil
- Forhindre enhver forurensning eller diffusjon av urenheter