Høy renhet SiC Cantilever padle

Semicorex høy renhet SiC cantilever padle er laget avSilisiumkarbidkeramikk, generelt SiSiC. Det er en SiC produsert ved silisium infiltrasjonsprosess, en prosess som girsilisiumkarbidkeramikkmaterialer bedre styrke og ytelse. Den høyrenhet SiC cantilever padle er navngitt etter sin form, den er lang stripe, med sidevifte. Formen er designet for å støtte horisontale waferbåter i høytemperaturovn.

Den brukes hovedsakelig i oksidasjon, diffusjon, RTA/RTP i halvlederproduksjonsprosessen. Så atmosfæren er oksygen (reaktiv gass), nitrogen (skjoldgass) og en liten mengde hydrogenklorid. Temperaturen er omtrent 1250°C. Så det er et oksidasjonsmiljø med høy temperatur. Det krever delen i dette miljøet oksidasjonsbestandig og kan stå under høy temperatur.

Semicorex høyrent SiC cantilever padle er laget av 3D-printet, så det er ett stykke støping, og det kan oppfylle de høye kravene til størrelse og prosessering. Cantilever-åren vil bli laget av 2 deler, kroppen og dens belegg, Semicorex kan gi urenhetsinnholdet <300pm for kroppen, og <5ppm for CVD SiC-belegget. Så overflaten er ultra høy renhet for å forhindre innføring av urenheter og forurensninger. Også materialet med høy termisk støtmotstand, for å holde formen i lang levetid.

Semicorex utfører en veldig verdifull produksjonsrute. Når det gjelder SiC-legemet, forbereder vi først råmaterialet og blander SiC-pulveret, foretar deretter støpingen og bearbeidingen til den endelige formen, etter det vil vi sintre delen for å forbedre tettheten og mange kjemiske egenskaper. Hoveddelen er dannet og vi vil gjøre inspeksjonen av selve keramikken og for å oppfylle dimensjonskravet. Etter det skal vi gjøre den viktige rengjøringen. Sett den kvalifiserte cantilever-padlen inn i ultralydutstyret for rengjøring for å fjerne støv, olje på overflaten. Etter rengjøring setter du den høyrente SiC-utkrageren inn i en tørkeovn og baker den ved 80-120°C i 4-6 timer til vannet er tørket.

Da kan vi gjøre CVD-belegg på kroppen. Beleggtemperaturen er 1200-1500 ℃, og en passende varmekurve er valgt. Ved høy temperatur reagerer silisiumkilden og karbonkilden kjemisk for å generere SiC-partikler i nanoskala. SiC-partiklene avsettes kontinuerlig på overflaten av

del for å danne et tett tynt lag av SiC. Beleggtykkelsen er generelt 100±20μm. Etter ferdigstillelse vil sluttkontroll av produktene bli organisert, for produktenes utseende, renhet og dimensjoner, etc.