SiC-padler

Semicorex SiC-padler er wafer-"bærerne", som tar wafere inn i ovner som er varmere enn 1000 grader Celsius. Dette er deres viktigste fordel: høy renhet, høy temperatur stabilitet, for å opprettholde mekanisk stivhet når prøven transporteres i ekstreme miljøer. Materialer med høy renhet er effektive for å hindre metallurenheter fra å forurense waferen; det samme gjør den høye temperaturstabiliteten tilsilisiumkarbid, ettersom det vil opprettholde kjemisk stabilitet ved prosesseringstemperaturer som forhindrer utgassing av metallurenheter eller partikler fra å forurense waferen, noe som sikrer et stabilt waferutbytte. Til slutt,cantilever årerer også kompatible med integrerte waferoverføringssystemer, noe som reduserer avhengigheten av mennesker ytterligere og øker gjennomstrømningen.

SiC Paddles er en unik komponent i bæreren, spesielt for transport og integrering av halvlederskiver i en batch-arbeidsmengde i prosesser som høytemperaturoksidasjon og diffusjon, blant andre. Laget med høy renhetsilisiumkarbid (SiC), SiC Paddles gir termisk stabilitet, mekanisk styrke og kjemisk holdbarhet for å sikre stabil transport over temperaturer på 1000 °C. SiC Paddles er nødvendig for wafer-behandling: det vil sikre at skjøre substrater kan håndteres på riktig måte, samtidig som integritet og konsistens opprettholdes gjennom oksidasjons-, diffusjons- og utglødningsprosessen.

SiC Paddles er designet for å være robuste og pålitelige, og er en arm som holder waferbåter eller waferstabler. Padlen støtter wafere mens de settes inn eller fjernes fra prosesskammeret. Konvensjonelle materialer svikter ved disse høye temperaturene på grunn av deformasjon, vridning eller kjemisk nedbrytning. Den mekaniske stabiliteten og strukturelle integriteten til silisiumkarbid gjør at padlen kan overleve flere termiske sykluser uten tap av form eller funksjon. Denne egenskapen er viktig for å opprettholde ovnens innretting, for å sikre at skivene ikke blir skadet under prosessen, og for å minimere kostbar nedetid.

SiC Paddles termiske stabilitet komplementeres av dens utmerkede kjemiske motstand mot reaktive gasser som vanligvis vises i oksidasjons- og diffusjonsprosesser (f.eks. oksygen, klor og andre aggressive arter ved høy temperatur). Mange materialer vil bli ødelagt eller forurenset når de utsettes for både høy temperatur og oksygen. Silisiumkarbid er kjemisk inert og dens tette mikrostruktur sikrer at kjemiske reaksjoner ikke vil oppstå, noe som gir både padlestrukturell integritet og et rent miljø for waferen. Den resulterende risikoen for kontaminering holdes på et minimum for halvlederprodusenter som opererer ved noen av de mest avanserte prosessnodene der selv sporelementer av forurensninger kan indusere betydelige endringer i enhetens ytelse.

Den mekaniske integriteten knyttet til SiC Paddles gir også verdi i håndteringsprosesser. Den utkragende strukturelle formen krever et materiale som kan holde vekter av lagstabler og ikke bøyer seg eller synker. Silisiumkarbids svært høye modul og svært høye hardhet gjør det til en god vurdering for den mekaniske strukturelle funksjonen som kreves. SiC Paddle beholder både flathet og struktur selv lastet med wafere. Dette betyr konstant kontroll av ovnen og dens betingelser under lange produksjonsperioder.