Nyheter

CVD-prosess for SiC wafer-epitaksi

CVD-prosessen for SiC waferepitaksi involverer avsetning av SiC-filmer på et SiC-substrat ved bruk av en gassfasereaksjon. SiC-forløpergassene, typisk metyltriklorsilan (MTS) og etylen (C2H4), innføres i et reaksjonskammer hvor SiC-substratet varmes opp til en høy temperatur (vanligvis mellom 1400 o......

Japan har nylig begrenset eksporten av 23 typer utstyr til produksjon av halvledere

Japan har nylig begrenset eksporten av 23 typer utstyr til produksjon av halvledere. Kunngjøringen har sendt krusninger over industrien, ettersom flyttingen forventes å ha en betydelig innvirkning på globale forsyningskjeder for halvlederproduksjon.

Brikkemangel fortsetter å være et problem

Mens det for tiden er et overutbud av minnehalvledere på grunn av en treg global økonomi, er det fortsatt mangel på analoge brikker for bil- og industriapplikasjoner. Ledetiden for disse analoge brikkene kan være så lang som 40 uker, sammenlignet med rundt 20 uker for minnelager.

Hva er fordelen med silisiumkarbid?

Hva er et MOCVD-system?

Hva brukes epitaksiale wafere til?

Epitaksiale wafere har blitt brukt i elektronikkindustrien i flere tiår, men deres betydning har bare økt etter hvert som teknologien har avansert. I denne artikkelen vil vi utforske hva epitaksiale wafere er og hvorfor de er en så viktig komponent i moderne elektronikk.