> Nyheter

Nyheter

Betydningen av porøse grafittmaterialer for SiC-krystallvekst

Semicorex sin SiC-krystallvekstovnskomponent, det porøse grafittfatet, vil gi tre store fordeler og kan effektivt styrke konkurranseevnen til innenlandske SiC-substrater:

Les mer

Kjenner til MOCVD

MOCVD er en ny dampfase epitaksial vekstteknologi utviklet på grunnlag av dampfase epitaksial vekst (VPE).

Les mer

Påføringer av TaC-belagte grafittkomponenter

I prosessen med å dyrke SiC- og AlN-enkeltkrystaller ved hjelp av den fysiske damptransportmetoden (PVT), spiller komponenter som digelen, frøkrystallholderen og styreringen en viktig rolle. Under fremstillingsprosessen av SiC er frøkrystallen plassert i et område med relativt lav temperatur, mens r......

Les mer

Substratskjæring og slipeprosess

SiC-substratmateriale er kjernen i SiC-brikken. Produksjonsprosessen av substratet er: etter oppnåelse av SiC-krystallblokken gjennom enkeltkrystallvekst; så krever klargjøring av SiC-substratet jevning, avrunding, kutting, sliping (fortynning); mekanisk polering; kjemisk mekanisk polering; og rengj......

Les mer

Det første 6-tommers Gallium Oxide-substratindustrialiseringsselskapet

Nylig kunngjorde selskapet vårt at selskapet med suksess har utviklet en 6-tommers Gallium Oxide-enkelkrystall ved bruk av støpemetoden, og ble det første innenlandske industrialiserte selskapet som mestret 6-tommers Gallium Oxide-enkeltkrystallsubstratprepareringsteknologi.

Les mer

Forskjeller mellom SiC-krystaller med forskjellige strukturer

Silisiumkarbid (SiC) er et materiale som har eksepsjonell termisk, fysisk og kjemisk stabilitet, og har egenskaper som går utover de til konvensjonelle materialer. Dens varmeledningsevne er forbløffende 84W/(m·K), som ikke bare er høyere enn kobber, men også tre ganger høyere enn for silisium. Dette......

Les mer

<...42 43 44 45 46...57 >