Enkrystall silisiumelektroder

Enkrystall silisiumelektroderer vanligvis installert på toppen av etsekammeret, og tjener som den øvre elektroden. Overflaten på enkrystall silisiumelektroder har jevnt fordelte mikrohull, som jevnt kan levere etsende gass inn i reaksjonskammeret. Under etseprosessen arbeider de med den nedre elektroden for å generere et jevnt elektrisk felt, noe som bidrar til å gi en ideell driftstilstand for presisjonsetsing.

Nøye materialvalg

Semicorex velger premium MCZ-dyrket monokrystallinsk silisium for å produsere enkrystall silisiumelektroder, og tilbyr bransjeledende produktytelse og kvalitet.

1. Ultrahøy renhet

Semicorex enkrystall silisiumelektroder har en ultrahøy renhet på over 99,9999999 %, noe som betyr at innholdet av interne metallurenheter er ekstremt lavt.

2. Eksepsjonell motstandsenhet

Forskjellig fra det konvensjonelle CZ enkrystall silisiumet, oppnår det MCZ-dyrkede monokrystallinske silisiumet brukt av Semicorex resistivitetsuniformitet under 5 %. Dens lave oppløsning. styres under 0,02 Ω·cm, middels res. er mellom 0,2 og 25Ω·cm, og høy oppløsning. er mellom 70-90 Ω·cm (tilpassing er tilgjengelig på forespørsel).

3. Utmerket materialstruktur

Enkeltkrystallsilisiumet dyrket via MCZ-metoden tilbyr en mer stabil struktur og færre defekter, noe som gjør at Semicorex enkrystallsilisiumelektroder leverer bemerkelsesverdig plasmakorrosjonsmotstand og tåler tøffe etsingsforhold.

---

Høy standard prosesspresisjon

Semicorexenkrystall silisiumelektroder produseres gjennom en komplett produksjonsprosess fra silisiumbarre til ferdig produkt, inkludert skjæring, overflatesliping, hullboring, våtetsing og overflatepolering. Semicorex opprettholder streng presisjonskontroll i hvert trinn for å sikre at diameteren, tykkelsen, overflateplanheten, hullavstanden og åpningen til elektrodene holdes innenfor ideelle toleranser.

1. Mikrohullsbehandling

Mikrohullene på enkrystall silisiumelektroder har jevn avstand og konsistente diametre (fra 0,2 til 0,8 mm), med glatte og gratfrie indre vegger. Dette garanterer effektivt jevn og stabil tilførsel av etsegass, og sikrer dermed jevnheten og presisjonen til waferetsingen.

2. Behandlingsnøyaktighet

Behandlingsnøyaktigheten til Semicorex enkrystall silisiumelektroder kontrolleres innenfor 0,3 mm, og deres poleringspresisjon kan kontrolleres strengt under 0,1 µm, og finsliping er mindre enn 1,6 µm.