> Produkter > Silisiumkarbidbelagt > MOCVD-akseptor > Semiconductor Wafer Carrier for MOCVD-utstyr

Produkter

Nye Produkter

Semiconductor Wafer Carrier for MOCVD-utstyr

Du kan være trygg på å kjøpe Semiconductor Wafer Carrier for MOCVD-utstyr fra fabrikken vår. Halvlederwaferbærere er en viktig komponent i MOCVD-utstyr. De brukes til å transportere og beskytte halvlederskiver under produksjonsprosessen. Semiconductor Wafer Carriers for MOCVD-utstyr er laget av materialer med høy renhet og er designet for å opprettholde integriteten til wafere under prosessering.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

vår halvlederwaferbærer for MOCVD-utstyr er en viktig komponent i halvlederproduksjonsprosessen. Den er laget av høyrent grafitt med silisiumkarbidbelegg ved CVD-metoden og er designet for å romme flere wafere. Transportøren tilbyr flere fordeler, inkludert forbedret utbytte, økt produktivitet, redusert forurensning, økt sikkerhet og kostnadseffektivitet. Hvis du leter etter en pålitelig og høykvalitets Semiconductor Wafer Carrier for MOCVD-utstyr, er produktet vårt den perfekte løsningen.
Kontakt oss i dag for å lære mer om vår Semiconductor Wafer Carrier for MOCVD-utstyr.

Parametre for halvlederskivebærer for MOCVD-utstyr

Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg
SiC-CVD-egenskaper
Krystallstruktur	FCC β-fase
Tetthet	g/cm³	3.21
Hardhet	Vickers hardhet	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kjemisk renhet	%	99.99995
Varmekapasitet	J kg-1 K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøy, 1300 ℃)	430
Termisk ekspansjon (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300

Funksjoner av SiC-belagt grafittsusceptor for MOCVD

- Unngå å flasse av og sørg for belegg på alle overflater
Høy temperatur oksidasjonsmotstand: Stabil ved høye temperaturer opp til 1600°C
Høy renhet: laget av CVD kjemisk dampavsetning under høytemperaturkloreringsforhold.
Korrosjonsbestandighet: høy hardhet, tett overflate og fine partikler.
Korrosjonsbestandighet: syre, alkali, salt og organiske reagenser.
- Oppnå det beste laminære gassstrømningsmønsteret
- Garanterer jevnhet av termisk profil
- Forhindre enhver forurensning eller diffusjon av urenheter