> Produkter > Silisiumkarbidbelagt > MOCVD-akseptor > Silisiumkarbidgrafittsubstrat MOCVD Susceptor

Produkter

Nye Produkter

Silisiumkarbidgrafittsubstrat MOCVD Susceptor

Semicorex Silicon Carbide Graphite Substrate MOCVD Susceptor er det ultimate valget for halvlederprodusenter som leter etter en høykvalitets bærer som kan levere overlegen ytelse og holdbarhet. Det avanserte materialet sikrer jevn termisk profil og laminært gassstrømningsmønster, og leverer høykvalitets wafere.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

Vår silisiumkarbidgrafittsubstrat MOCVD Susceptor er svært ren, laget av CVD kjemisk dampavsetning under høytemperaturkloreringsforhold, noe som sikrer ensartethet og konsistens til produktet. Den er også svært korrosjonsbestandig, med en tett overflate og fine partikler, noe som gjør den motstandsdyktig mot syre, alkali, salt og organiske reagenser. Dens høytemperaturoksidasjonsmotstand sikrer stabilitet ved høye temperaturer opp til 1600°C.
Kontakt oss i dag for å lære mer om vår silisiumkarbidgrafittsubstrat MOCVD Susceptor.

Parametre for silisiumkarbidgrafittsubstrat MOCVD Susceptor

Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg
SiC-CVD-egenskaper
Krystallstruktur	FCC β-fase
Tetthet	g/cm³	3.21
Hardhet	Vickers hardhet	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kjemisk renhet	%	99.99995
Varmekapasitet	J kg-1 K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøy, 1300 ℃)	430
Termisk ekspansjon (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300

Funksjoner av SiC-belagt grafittsusceptor for MOCVD

- Unngå å flasse av og sørg for belegg på alle overflater
Høy temperatur oksidasjonsmotstand: Stabil ved høye temperaturer opp til 1600°C
Høy renhet: laget av CVD kjemisk dampavsetning under høytemperaturkloreringsforhold.
Korrosjonsbestandighet: høy hardhet, tett overflate og fine partikler.
Korrosjonsbestandighet: syre, alkali, salt og organiske reagenser.
- Oppnå det beste laminære gassstrømningsmønsteret
- Garanterer jevnhet av termisk profil
- Forhindre enhver forurensning eller diffusjon av urenheter