RTP RTA SiC Coated Carrier

Semicorex er en storskala produsent og leverandør av silisiumkarbidbelagt grafittsusceptor i Kina. Semicorex grafittsusceptor utviklet spesielt for epitaksiutstyr med høy varme- og korrosjonsbestandighet i Kina. Vår RTP RTA SiC Coated Carrier har en god prisfordel og dekker mange av de europeiske og amerikanske markedene. Vi ser frem til å bli din langsiktige partner.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

Semicorex leverer RTP RTA SiC Coated Carrier som brukes til å støtte wafere, som er veldig stabil for RTA, RTP eller hard kjemisk rengjøring. RTP RTA SiC-belagt bærer med høyrent silisiumkarbid-belagt (SiC)-belagt grafittkonstruksjon gir overlegen varmebestandighet, jevn termisk jevnhet for konsistent epi-lagtykkelse og motstand, og holdbar kjemisk motstand. Fint SiC-krystallbelegg gir en ren, jevn overflate, kritisk for håndtering siden uberørte wafere kommer i kontakt med susceptoren på mange punkter over hele området.
Hos Semicorex fokuserer vi på å tilby høykvalitets, kostnadseffektiv RTP RTA SiC Coated Carrier, vi prioriterer kundetilfredshet og gir kostnadseffektive løsninger. Vi ser frem til å bli din langsiktige partner, levere produkter av høy kvalitet og eksepsjonell kundeservice.

Parametre for RTP RTA SiC Coated Carrier

Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg
SiC-CVD-egenskaper
Krystallstruktur	FCC β-fase
Tetthet	g/cm³	3.21
Hardhet	Vickers hardhet	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kjemisk renhet	%	99.99995
Varmekapasitet	J kg-1 K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøy, 1300 ℃)	430
Termisk ekspansjon (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300

Funksjoner av RTP RTA SiC Coated Carrier

- Både grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget har god tetthet og kan spille en god beskyttende rolle i høytemperatur og korrosive arbeidsmiljøer.
- Silisiumkarbidbelagt susceptor som brukes til enkeltkrystallvekst har en meget høy overflateplanhet.
- Reduser forskjellen i termisk ekspansjonskoeffisient mellom grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget, forbedrer effektivt bindingsstyrken for å forhindre sprekkdannelse og delaminering.
- Både grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget har høy varmeledningsevne, og utmerkede varmefordelingsegenskaper.
- Høyt smeltepunkt, høy temperatur oksidasjonsmotstand, korrosjonsbestandighet.