Semicorex RTP/RTA SiC Coating Carrier er konstruert for å tåle de tøffeste forholdene i avsetningsmiljøet. Med sin høye varme- og korrosjonsbestandighet er dette produktet designet for å gi optimal ytelse for epitaksial vekst. Den SiC-belagte bæreren har høy varmeledningsevne og utmerkede varmefordelingsegenskaper, noe som sikrer pålitelig ytelse for RTA, RTP eller hard kjemisk rengjøring.
Vår RTP/RTA SiC Coating Carrier for MOCVD epitaksial vekst er den perfekte løsningen for waferhåndtering og epitaksial vekstbehandling. Med en glatt overflate og høy holdbarhet mot kjemisk rengjøring, tilbyr dette produktet pålitelig ytelse i tøffe avsetningsmiljøer.
Materialet til vår RTP/RTA SiC-beleggsbærer er konstruert for å forhindre sprekker og delaminering, mens den overlegne varmebestandigheten og termiske ensartetheten sikrer jevn ytelse for RTA, RTP eller hard kjemisk rengjøring.
Kontakt oss i dag for å lære mer om vår RTP/RTA SiC-beleggsbærer
Parametre for RTP/RTA SiC Coating Carrier
Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg |
||
SiC-CVD-egenskaper |
||
Krystallstruktur |
FCC β-fase |
|
Tetthet |
g/cm³ |
3.21 |
Hardhet |
Vickers hardhet |
2500 |
Kornstørrelse |
μm |
2~10 |
Kjemisk renhet |
% |
99.99995 |
Varmekapasitet |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimeringstemperatur |
℃ |
2700 |
Feleksural styrke |
MPa (RT 4-punkts) |
415 |
Youngs modul |
Gpa (4pt bøy, 1300 ℃) |
430 |
Termisk ekspansjon (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Termisk ledningsevne |
(W/mK) |
300 |
Funksjoner av RTP/RTA SiC Coating Carrier
SiC-belagt grafitt med høy renhet
Overlegen varmebestandighet og termisk jevnhet
Fin SiC-krystallbelagt for en jevn overflate
Høy holdbarhet mot kjemisk rengjøring
Materialet er utformet slik at det ikke oppstår sprekker og delaminering.