Tønnesusceptor silisiumkarbidbelagt grafitt

Semicorex Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite er en spesialisert komponent designet for bruk i epitaksiprosessen, spesielt for å bære wafere. Denne Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite er laget av grafittmateriale, som er kjent for sin utmerkede termiske ledningsevne og stabilitet ved høye temperaturer. For å forbedre ytelsen og holdbarheten er grafittoverflaten belagt med et lag av silisiumkarbid (SiC).

Silisiumkarbidbelegget til Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite tjener flere avgjørende formål i denne sammenhengen. For det første gir det et ekstra lag med beskyttelse til det underliggende grafittsubstratet, og beskytter det mot kjemiske reaksjoner og slitasje som kan oppstå under epitaksiprosessen. For det andre forbedrer SiC-belegg de termiske egenskapene til Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite, noe som muliggjør effektiv og jevn oppvarming av skivene. Denne jevne oppvarmingen er avgjørende for å oppnå konsistente epitaksiale lag av høy kvalitet på halvlederskivene.

Utformingen av Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite er optimert for sikkert å holde og transportere flere wafere gjennom epitaksiprosessen. Dens tønnelignende struktur tillater enkel lasting og lossing av wafere samtidig som den sikrer riktig varmefordeling og termisk stabilitet under drift.

Totalt sett representerer Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite en kritisk komponent i epitaksiutstyr, og tilbyr pålitelighet, holdbarhet og presis termisk kontroll som er avgjørende for produksjon av avanserte halvlederenheter.