Semicorex Silicon Carbide Coated Barrel Susceptor er et grafittprodukt av høy kvalitet belagt med høyrent SiC, som tilbyr eksepsjonell varme- og korrosjonsbestandighet. Den er spesielt utviklet for LPE-applikasjoner i halvlederproduksjonsindustrien.
VårSilisiumkarbidbelagt tønnesusceptorfra Semicorex er en ideell løsning for dyrking av enkeltkrystaller i høytemperatur og korrosive miljøer.
Hos Semicorex fokuserer vi på å tilby høy kvalitet og kostnadseffektivtsilisiumkarbidbelagtfat susceptor, prioriterer vi kundetilfredshet og gir kostnadseffektive løsninger. Vi ser frem til å bli din langsiktige partner, levere produkter av høy kvalitet og eksepsjonell kundeservice.
Parametre forSilisiumkarbidbelagtTønnemottaker
Hovedspesifikasjoner forCVD-SIC belegg |
||
SiC-CVD-egenskaper |
||
Krystallstruktur |
FCC β-fase |
|
Tetthet |
g/cm³ |
3.21 |
Hardhet |
Vickers hardhet |
2500 |
Kornstørrelse |
μm |
2~10 |
Kjemisk renhet |
% |
99.99995 |
Varmekapasitet |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimeringstemperatur |
℃ |
2700 |
Feleksural styrke |
MPa (RT 4-punkts) |
415 |
Youngs modul |
Gpa (4pt bøy, 1300 ℃) |
430 |
Termisk ekspansjon (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Termisk ledningsevne |
(W/mK) |
300 |
Funksjoner avSilisiumkarbidbelagtTønnemottaker
- Både grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget har god tetthet og kan spille en god beskyttende rolle i høytemperatur og korrosive arbeidsmiljøer.
- Silisiumkarbidbelagt susceptor som brukes til enkeltkrystallvekst har en meget høy overflateplanhet.
- Reduser forskjellen i termisk ekspansjonskoeffisient mellom grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget, forbedrer effektivt bindingsstyrken for å forhindre sprekkdannelse og delaminering.
- Både grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget har høy varmeledningsevne, og utmerkede varmefordelingsegenskaper.
- Høyt smeltepunkt, høy temperatur oksidasjonsmotstand, korrosjonsbestandighet.