Slitesterk SiC-belagt tønnesusceptor

Med sin utmerkede tetthet og termiske ledningsevne er Semicorex Durable SiC-coated Barrel Susceptor det ideelle valget for bruk i epitaksiale prosesser og andre halvlederproduksjonsapplikasjoner. SiC-belegget med høy renhet gir overlegen beskyttelse og varmefordelingsegenskaper, noe som gjør det til det beste valget for pålitelige og konsistente resultater.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

Hvis du trenger en grafittmottaker av høy kvalitet med overlegen varme- og korrosjonsmotstand, trenger du ikke lete lenger enn Semicorex Durable SiC-Coated Barrel Susceptor. Silisiumkarbidbelegget gir eksepsjonell termisk ledningsevne og varmefordeling, og sikrer pålitelig og konsistent ytelse i selv de mest krevende høytemperaturmiljøer.
Vår holdbare SiC-belagte tønnesusceptor er designet for å oppnå det beste laminære gassstrømningsmønsteret, og sikrer jevn termisk profil. Dette bidrar til å forhindre forurensning eller diffusjon av urenheter, og sikrer epitaksial vekst av høy kvalitet på waferbrikken.
Kontakt oss i dag for å lære mer om vår holdbare SiC-belagte tønnesusceptor.

Parametre for slitesterk SiC-belagt tønnesusceptor

Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg
SiC-CVD-egenskaper
Krystallstruktur	FCC β-fase
Tetthet	g/cm³	3.21
Hardhet	Vickers hardhet	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kjemisk renhet	%	99.99995
Varmekapasitet	J kg-1 K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøy, 1300 ℃)	430
Termisk ekspansjon (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300

Egenskaper til slitesterk SiC-belagt tønnesusceptor

- Både grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget har god tetthet og kan spille en god beskyttende rolle i høytemperatur og korrosive arbeidsmiljøer.

- Silisiumkarbidbelagt susceptor som brukes til enkeltkrystallvekst har en meget høy overflateplanhet.

- Reduser forskjellen i termisk ekspansjonskoeffisient mellom grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget, forbedrer effektivt bindestyrken for å forhindre sprekkdannelse og delaminering.

- Både grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget har høy varmeledningsevne, og utmerkede varmefordelingsegenskaper.

- Høyt smeltepunkt, høy temperatur oksidasjonsmotstand, korrosjonsbestandighet.