Induktivt oppvarmet Barrel Epi System

Hvis du trenger en grafittsusceptor med eksepsjonell termisk ledningsevne og varmefordelingsegenskaper, trenger du ikke lete lenger enn Semicorex Inductively Heated Barrel Epi System. SiC-belegget med høy renhet gir overlegen beskyttelse i høye temperaturer og korrosive miljøer, noe som gjør det til det ideelle valget for bruk i halvlederproduksjonsapplikasjoner.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

Semicorex Inductively Heated Barrel Epi System er det perfekte valget for halvlederproduksjonsapplikasjoner som krever eksepsjonell varmefordeling og termisk ledningsevne. SiC-belegget med høy renhet og overlegen tetthet gir overlegen beskyttelse og varmefordelingsegenskaper, og sikrer pålitelig og konsistent ytelse i selv de mest utfordrende miljøer.
Hos Semicorex fokuserer vi på å tilby høykvalitets, kostnadseffektive produkter til våre kunder. Vårt induktivt oppvarmede fat Epi-system har en prisfordel og eksporteres til mange europeiske og amerikanske markeder. Vi tar sikte på å være din langsiktige partner, og levere konsekvente kvalitetsprodukter og eksepsjonell kundeservice.

Parametre for induktivt oppvarmet fat Epi-system

Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg
SiC-CVD-egenskaper
Krystallstruktur	FCC β-fase
Tetthet	g/cm³	3.21
Hardhet	Vickers hardhet	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kjemisk renhet	%	99.99995
Varmekapasitet	J kg-1 K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøy, 1300 ℃)	430
Termisk ekspansjon (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300

Egenskaper til induktivt oppvarmet Barrel Epi-system

- Både grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget har god tetthet og kan spille en god beskyttende rolle i høytemperatur og korrosive arbeidsmiljøer.

- Silisiumkarbidbelagt susceptor som brukes til enkeltkrystallvekst har en meget høy overflateplanhet.

- Reduser forskjellen i termisk ekspansjonskoeffisient mellom grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget, forbedrer effektivt bindingsstyrken for å forhindre sprekkdannelse og delaminering.

- Både grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget har høy varmeledningsevne, og utmerkede varmefordelingsegenskaper.

- Høyt smeltepunkt, høy temperatur oksidasjonsmotstand, korrosjonsbestandighet.