Tønnesusceptor med SiC-belegg i halvleder

Semicorex Barrel Susceptor med SiC-belegg i Semiconductor er et grafittprodukt av førsteklasses kvalitet belagt med høyrent SiC, noe som gjør det til det ideelle valget for bruk i høye temperaturer og korrosive miljøer. Dens utmerkede tetthet og termiske ledningsevne gir eksepsjonell varmefordeling og beskyttelse i halvlederproduksjonsapplikasjoner.
Hos Semicorex fokuserer vi på å tilby høykvalitets, kostnadseffektive produkter til våre kunder. Vår Barrel Susceptor med SiC Coating i Semiconductor har en prisfordel og eksporteres til mange europeiske og amerikanske markeder. Vi tar sikte på å være din langsiktige partner, og levere konsekvente kvalitetsprodukter og eksepsjonell kundeservice.

Parametre for tønnesusceptor med SiC-belegg i halvleder

Funksjoner av Barrel Susceptor med SiC-belegg i Semiconductor

- Både grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget har god tetthet og kan spille en god beskyttende rolle i høytemperatur og korrosive arbeidsmiljøer.

- Silisiumkarbidbelagt susceptor som brukes til enkeltkrystallvekst har en meget høy overflateplanhet.

- Reduser forskjellen i termisk ekspansjonskoeffisient mellom grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget, forbedrer effektivt bindingsstyrken for å forhindre sprekkdannelse og delaminering.

- Både grafittsubstratet og silisiumkarbidlaget har høy varmeledningsevne, og utmerkede varmefordelingsegenskaper.

- Høyt smeltepunkt, høy temperatur oksidasjonsmotstand, korrosjonsbestandighet.