Semicorex N-type silisiumkarbidpulver (SiC) er et høyrent, dopet SiC-materiale spesielt utviklet for avanserte krystallvekstapplikasjoner. Semicorex er forpliktet til å tilby kvalitetsprodukter til konkurransedyktige priser, vi ser frem til å bli din langsiktige partner i Kina.
Semicorex N-type silisiumkarbidpulver (SiC) er et høyrent, dopet SiC-materiale spesielt utviklet for avanserte krystallvekstapplikasjoner. Dette N-type silisiumkarbidpulveret er preget av dets overlegne elektriske egenskaper og strukturelle integritet, noe som gjør det til et ideelt valg for produksjon av silisiumkarbidkrystaller brukt i forskjellige høyytelses halvlederenheter.
N-type silisiumkarbidpulver er dopet med nitrogen (N), som introduserer ytterligere frie elektroner i SiC-krystallgitteret, og forbedrer dets elektriske ledningsevne. Denne N-type dopingen er avgjørende for applikasjoner som krever nøyaktige elektroniske egenskaper. N-type silisiumkarbidpulver gjennomgår strenge renseprosesser for å oppnå et høyt renhetsnivå, og minimerer tilstedeværelsen av urenheter som kan påvirke krystallvekstprosessen og ytelsen til sluttproduktet.
Semicorex N-type silisiumkarbidpulver består av fine, jevnstore partikler som fremmer jevn krystallvekst og forbedrer den generelle kvaliteten til silisiumkarbidkrystallene.
Dette N-type silisiumkarbidpulveret brukes først og fremst i veksten av silisiumkarbidkrystaller, og er integrert i produksjon av høyeffekts elektroniske enheter, høytemperatursensorer og forskjellige optoelektroniske komponenter. Den er også egnet for bruk i forskning og utvikling innen halvlederindustrien.
Kjennetegn
Modell | Renhet | Pakketetthet | D10 | D50 | D90 |
SiC-N-S | >6N | <1,7 g/cm3 | 100 μm | 300 μm | 500 μm |
SiC-N-M | >6N | <1,3 g/cm3 | 500 μm | 1000 μm | 2000 μm |
SiC-N-L | >6N | <1,3 g/cm3 | 1000 μm | 1500 μm | 2500 μm |
Søknader:
Silisiumkarbidkrystallvekst: Brukes som kildemateriale for dyrking av høykvalitets SiC-krystaller.
Halvlederenheter: Ideell for høyeffekts og høyfrekvente elektroniske komponenter.
Høytemperaturelektronikk: Egnet for applikasjoner som krever robust ytelse under ekstreme forhold.
Optoelektronikk: Brukes i enheter som krever eksepsjonelle termiske og elektriske egenskaper.