Semicorex er en ledende uavhengig eid produsent av silisiumkarbidbelagt grafitt, presisjonsmaskinert høyrenhetsgrafitt med fokus på silisiumkarbidbelagt grafitt, silisiumkarbidkeramikk, MOCVP-områdene innen halvlederproduksjon. Vår SiC Coated Wafer Heater har en god prisfordel og dekker mange av de europeiske og amerikanske markedene. Vi ser frem til å bli din langsiktige partner i Kina.
Semicorex SiC Coated Wafer Heater kan operere i høytemperaturovnen med over 3000 °C i en inert atmosfære, 2200 °C i vakuum. SiC Coated Wafer Heater med høy renhet gir overlegen varmebestandighet, jevn termisk jevnhet for konsistent epi-lagtykkelse og motstand, og holdbar kjemisk motstand. Fint SiC-krystallbelegg gir en ren, jevn overflate, kritisk for håndtering siden uberørte wafere kommer i kontakt med susceptoren på mange punkter over hele området.
Hos Semicorex fokuserer vi på å tilby høykvalitets, kostnadseffektiv SiC Coated Wafer Heater, vi prioriterer kundetilfredshet og gir kostnadseffektive løsninger. Vi ser frem til å bli din langsiktige partner, levere produkter av høy kvalitet og eksepsjonell kundeservice.
Parametre for SiC Coated Wafer Heater
Teknisk spesifikasjon |
VET-M3 |
Bulkdensitet (g/cm3) |
≥1,85 |
Askeinnhold (PPM) |
≤500 |
Shore hardhet |
≥45 |
Spesifikk motstand (μ.Ω.m) |
≤12 |
Flexural Strength (Mpa) |
≥40 |
Kompressiv styrke (Mpa) |
≥70 |
Maks. Kornstørrelse (μm) |
≤43 |
Koeffisient for termisk ekspansjon Mm/°C |
≤4,4*10-6 |
Egenskaper til SiC Coated Wafer Heater
- Høy renhet SiC-belagt grafitt
- Overlegen varmebestandighet og termisk jevnhet
- Fin SiC-krystallbelagt for en jevn overflate
- Høy holdbarhet mot kjemisk rengjøring
- Materiale er utformet slik at det ikke oppstår sprekker og delaminering.