SiC End Effector

Semicorex er en storskala produsent og leverandør av silisiumkarbidbelagt grafittsusceptor i Kina. Vi fokuserer på halvlederindustrier som silisiumkarbidlag og epitaksihalvleder. Vår SiC End Effector har en god prisfordel og dekker mange av de europeiske og amerikanske markedene. Vi ser frem til å bli din langsiktige partner i Kina.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

Semicorex SiC End Effector er laget av Silicon Carbide Coating (SiC) grafitt, belegget påføres ved en CVD-metode på spesifikke kvaliteter av høydensitetsgrafitt, slik at det kan operere i høytemperaturovnen med over 3000 °C i en inert atmosfære, 2200°C i vakuum.

Vår SiC End Effector er designet for å oppnå det beste laminære gassstrømningsmønsteret, og sikrer jevnhet i termisk profil. Dette bidrar til å forhindre forurensning eller diffusjon av urenheter, og sikrer epitaksial vekst av høy kvalitet på waferbrikken.

Kontakt oss i dag for å lære mer om vår SiC End Effector.

Parametre for SiC End Effector

Hovedspesifikasjoner for CVD-SIC belegg
SiC-CVD-egenskaper
Krystallstruktur	FCC β-fase
Tetthet	g/cm³	3.21
Hardhet	Vickers hardhet	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kjemisk renhet	%	99.99995
Varmekapasitet	J kg-1 K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøy, 1300 ℃)	430
Termisk ekspansjon (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300