Halvledermaterialer kan deles inn i tre generasjoner i henhold til tidssekvensen. Den første generasjonen germanium, silisium og andre vanlige monomaterialer, som er preget av praktisk svitsjing, vanligvis brukt i integrerte kretser. Den andre generasjonen av galliumarsenid, indiumfosfid og andre sa......
Les merSilisiumkarbid (SiC) har viktige anvendelser innen områder som kraftelektronikk, høyfrekvente RF-enheter og sensorer for høytemperaturbestandige miljøer på grunn av dets utmerkede fysisk-kjemiske egenskaper. Imidlertid introduserer skjæringsoperasjonen under SiC-wafer-behandling skader på overflaten......
Les merDet er flere materialer som for tiden undersøkes, blant dem skiller silisiumkarbid seg ut som et av de mest lovende. I likhet med GaN har den høyere driftsspenninger, høyere sammenbruddsspenninger og overlegen ledningsevne sammenlignet med silisium. Takket være sin høye varmeledningsevne kan silisiu......
Les merMens verden ser etter nye muligheter innen halvledere, fortsetter galliumnitrid å skille seg ut som en potensiell kandidat for fremtidige kraft- og RF-applikasjoner. Men på tross av alle fordelene den tilbyr, står den fortsatt overfor en stor utfordring; det er ingen P-type (P-type) produkter. Hvorf......
Les merGalliumoksid (Ga2O3) som et "ultra-wide bandgap semiconductor" materiale har fått vedvarende oppmerksomhet. Ultrabrede halvledere med båndgap faller inn under kategorien "fjerdegenerasjons halvledere", og sammenlignet med tredjegenerasjons halvledere som silisiumkarbid (SiC) og galliumnitrid (GaN), ......
Les mer