Hjem > Produkter > Silisiumkarbidkeramikk > Wafer båt > Silisiumkarbid waferbåt
Silisiumkarbid waferbåt
  • Silisiumkarbid waferbåtSilisiumkarbid waferbåt
  • Silisiumkarbid waferbåtSilisiumkarbid waferbåt
  • Silisiumkarbid waferbåtSilisiumkarbid waferbåt
  • Silisiumkarbid waferbåtSilisiumkarbid waferbåt
  • Silisiumkarbid waferbåtSilisiumkarbid waferbåt

Silisiumkarbid waferbåt

Semicorex utvikler keramikk av halvlederkvalitet for OEM-halvfabrikasjonsverktøyene dine og komponenter for waferhåndtering. Vår Silicon Carbide Wafer Boat har en god prisfordel og dekker mange av de europeiske og amerikanske markedene. Vi ser frem til å bli din langsiktige partner i Kina.

Send forespørsel

produktbeskrivelse

Semicorex sin silisiumkarbidskivebåt, med ekstremt høy renhet (opptil 99,99%), utmerket plasmamotstand og varmebestandighet, og begrenset partikkelforekomst, brukes i deler av halvlederbehandlingsutstyr, inkludert strukturelle komponenter og verktøy.
Hos Semicorex fokuserer vi på å tilby høykvalitets, kostnadseffektiv Silisiumkarbid Wafer Boat, vi prioriterer kundetilfredshet og gir kostnadseffektive løsninger. Vi ser frem til å bli din langsiktige partner, levere produkter av høy kvalitet og eksepsjonell kundeservice.
Kontakt oss i dag for å lære mer om vår silisiumkarbidwaferbåt.


Parametre for silisiumkarbidwaferbåt

Tekniske egenskaper

Indeks

Enhet

Verdi

Materialnavn

Reaksjonssintret silisiumkarbid

Trykkløs sintret silisiumkarbid

Omkrystallisert silisiumkarbid

Komposisjon

RBSiC

SSiC

R-SiC

Romvekt

g/cm3

3

3,15 ± 0,03

2,60-2,70

Fleksibilitetsstyrke

MPa (kpsi)

338(49)

380(55)

80-90 (20 °C) 90-100 (1400 °C)

Trykkfasthet

MPa (kpsi)

1120(158)

3970(560)

> 600

Hardhet

Knoop

2700

2800

/

Breaking Tenacity

MPa m1/2

4.5

4

/

Termisk ledningsevne

W/m.k

95

120

23

Koeffisient for termisk ekspansjon

10-60,1/°C

5

4

4.7

Spesifikk varme

Joule/g 0k

0.8

0.67

/

Maks temperatur i luft

1200

1500

1600

Elastisk modul

Gpa

360

410

240


Forskjellen mellom SSiC og RBSiC:

1. Sintringsprosessen er annerledes. RBSiC skal infiltrere fritt Si inn i silisiumkarbid ved lav temperatur, SSiC dannes ved naturlig krymping ved 2100 grader.

2. SSiC har jevnere overflate, høyere tetthet og høyere styrke, for noen tetninger med strengere overflatekrav vil SSiC være bedre.

3. Ulik brukt tid under forskjellig PH og temperatur, SSiC er lengre enn RBSiC


Egenskaper av silisiumkarbid wafer-båt

Overlegen varmebestandighet og termisk jevnhet
Fin SiC-krystallbelagt for en jevn overflate
Høy holdbarhet mot kjemisk rengjøring
Materialet er utformet slik at det ikke oppstår sprekker og delaminering.



Hot Tags: Silisiumkarbidskivebåt, Kina, produsenter, leverandører, fabrikk, tilpasset, bulk, avansert, slitesterk

Relatert kategori

Send forespørsel

Gi gjerne din forespørsel i skjemaet nedenfor. Vi svarer deg innen 24 timer.